[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 201110252165.4 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN102385675A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 大村昌伸 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G06F21/02 | 分类号: | G06F21/02;H01L23/58 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体集成电路装置。
背景技术
已出现对于保护安装在用于保持诸如个人信息之类的要求高安全性的数据的半导体集成电路装置上的电路以免受物理改变和分析的需求。在日本专利特开No.2006-012159中描述的半导体集成电路装置中,在要被保护的电路上形成布线,并且,经由所述布线向半导体集成电路装置的检测电路施加电源电压。如果经由布线施加的电压与通常的电压不同,那么检测电路确定布线已被改变。并且,在日本专利特开No.07-200414中描述的半导体集成电路装置中,集成电路芯片被安装为使得芯片的前侧面向安装板。在安装板的要安装集成电路芯片的该区域中形成电源导线。如果从集成电路芯片的前侧在安装板中形成用于分析电路的孔,那么集成电路芯片的存储内容消失。因此,难以从半导体基板的前表面即形成有电路的表面执行分析。
发明内容
最新的分析技术可从半导体基板的背侧确认诸如晶体管的操作状态之类的电路构成。从半导体基板的背侧分析电路构成的方法的例子有LVP(激光电压探测,Laser Voltage Probing)方法和使用背侧发射显微镜的方法。常规的半导体基板不具有针对这些背侧分析方法的措施,因此,在半导体基板上形成的电路未被充分地保护。因此,本发明的一个方面提供一种检测从基板的背侧分析在半导体基板的前侧形成的电路的技术。
本发明的一个方面提供一种半导体集成电路装置,该半导体集成电路装置包括:半导体基板,该半导体基板具有其上形成电路块的第一表面和与第一表面相反的第二表面;安装板,所述半导体基板被安装在所述安装板上;导电图案,被形成在安装板的、与电路块的要被保护的部分重叠的区域上;和检测电路,被配置为检测导电图案已被改变,其中,所述半导体基板被安装在所述安装板上以使得所述半导体基板的第二表面面向所述安装板。
从(参照附图)对示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
被包含于说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出本发明的实施例,并且与描述一起用于说明本发明的原理。
图1是用于说明本发明的实施例的半导体集成电路装置的布置的例子的视图;
图2是用于说明本发明的实施例的检测电路的详细配置的例子的视图;
图3A和图3B是用于说明本发明的实施例的振荡电路的详细配置的例子的视图;
图4是用于说明本发明的实施例的计数器电路的时序图的例子的视图;
图5是用于说明本发明的实施例的比较电路的电路配置的例子的视图;
图6A~6F是用于说明本发明的实施例的导电图案105的形状的变更方式的视图;
图7是用于说明本发明的实施例的检测电路的详细配置的例子的视图;
图8A和图8B是用于说明本发明的实施例的检测电路的时序图的例子的视图;
图9是用于说明本发明的实施例的检测电路的另一配置例子的视图;
图10是用于说明本发明的实施例的时序图的另一例子的视图;
图11是用于说明本发明的实施例的检测电路的又一配置例子的视图;
图12是用于说明本发明的实施例的时序图的又一例子的视图;
图13是用于说明本发明的实施例的检测电路的又一配置例子的视图;
图14A~14C是用于说明本发明的实施例的时序图的例子的视图;
图15是用于说明本发明的实施例的检测电路的又一配置例子的视图;以及
图16A~16C是用于说明本发明的实施例的时序图的其它例子的视图。
具体实施方式
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