[发明专利]形成接触窗的方法

权利要求书

1.在该第二绝缘层上形成一光阻图案层，其中该光阻图案层具有多个凹槽与多个第一开口，该些第一开口局部暴露该第二绝缘层，而该些凹槽未暴露该第二绝缘层，该些第一开口分别位在该些第一接触垫的正上方，而该些凹槽分别位在该些第二接触垫的正上方；

以该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第一开口内的部分该第二绝缘层与部分该第一绝缘层，以暴露该些第一接触垫；

减少该光阻图案层的厚度，以使该些凹槽形成多个第二开口，其中该些第二开口局部暴露该第二绝缘层；以及

以厚度减少后的该光阻图案层为屏蔽，移除位在该些第二开口内的部分该第二绝缘层，以暴露该些第二接触垫。

2.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中形成该光阻图案层的方法包括：

在该第二绝缘层上形成一初始光阻层；

以一半透光式光罩为屏蔽，曝光该初始光阻层，其中该半透光式光罩具有多个半透光区，该些半透光区对准该些第二接触垫；以及

在曝光该初始光阻层之后，显影该初始光阻层。

3.根据权利要求2所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该半透光式光罩更具有多个透光区，该些透光区对准该些第一接触垫。

4.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中减少该光阻图案层的厚度的步骤包括令一电浆灰化该光阻图案层。

5.根据权利要求4所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该电浆移除位在该些第一开口内的部分该第二绝缘层与部分该第一绝缘层，以及位在该些第二开口内的部分该第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该电浆包括氧离子与氟离子。

7.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该晶体管数组基板更包括多个半导体层，该些半导体层位在该第一金属图案层与该第二金属图案层之间，而该些半导体层、该第一金属图案层、该第一绝缘层以及该第二金属图案层形成多个晶体管。

8.根据权利要求7所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中各该晶体管具有一汲极，而该些汲极为多个该第二接触垫。

9.根据权利要求8所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该第二金属图案层更包括多条数据线，而部分该些第二接触垫连接该些数据线。

10.根据权利要求1所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该第一金属图案层更包括多条扫描线，而该基板具有一显示区以及一非显示区，该非显示区位在该显示区旁，该些第一接触垫连接该些扫描线，并位在该非显示区内。

11.根据权利要求10所述的形成接触窗的方法，其特征在于，其中该第二金属图案层更包括多条端子线，该些端子线位在该非显示区内，部分该些第二接触垫连接该些端子线，并位在该非显示区内。