[发明专利]量子点-聚电解质荧光纳米复合物及其应用有效

专利信息
申请号: 201110253108.8 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102391875A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 谢洪平;张丹丹;唐建华 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/56;C09K11/89;C09K11/02
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 量子 电解质 荧光 纳米 复合物 及其 应用
【权利要求书】:

1. 一种量子点-聚电解质荧光纳米复合物,其特征在于,所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物由量子点和聚电解质通过自组装构成,所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物是一种由量子点层和聚电解质层交替排列的多层结构,且所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的形状为柔性条带,条带宽度为2-30nm,长度为5-400nm。

2. 根据权利要求1所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物,其特征在于,量子点包括:水溶性的量子点和/或其掺杂复合物、可转溶于水相中的油溶性的量子点和/或其掺杂复合物;所述聚电解质包括阳离子聚电解质、阴离子聚电解质。

3. 根据权利要求2所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物,其特征在于,所述量子点选自:CdTe、CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/ZnS/CdS、ZnS、CdS、ZnS/CdS、CdS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe或HgSe量子点。

4. 权利要求1所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,其特征在于,当聚电解质所带电荷与量子点表面所带电荷相反时,上述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,包括以下步骤:将量子点原液或稀释液与聚电解质溶液混合均匀,然后离心以除去多余的聚电解质,将沉淀超声复溶至蒸馏水或pH5-9的缓冲液中,即得量子点-聚电解质荧光纳米复合物。

5. 根据权利要求4所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,其特征在于,在“离心以除去多余的聚电解质”步骤之前,向反应液中加入沉淀试剂使反应液微微浑浊,然后震荡均匀;所述沉淀试剂为丙酮和醇的混合溶液,其中丙酮和醇的体积比为1∶0.3~3.0,所述醇选自:无水的甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇;并且反应液与沉淀试剂的体积比约为1∶2~3。

6. 权利要求1所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,其特征在于,当聚电解质所带电荷与量子点表面所带电荷相同时,上述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,包括以下步骤:将量子点原液或稀释液与聚电解质单体溶液混合均匀使量子点表面先吸附一层聚电解质的单体;其中,所述聚电解质单体的电荷与量子点表面电荷相反;再加入与前述聚电解质单体电荷相反的聚电解质溶液,混合均匀,离心以去除多余的聚电解质和聚电解质单体,将沉淀超声复溶至蒸馏水或pH5-9的缓冲液中,即得量子点-聚电解质荧光纳米复合物。

7. 根据权利要求6所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物的制备方法,其特征在于,在“离心以去除多余的聚电解质和聚电解质单体”步骤之前,向反应液中加入沉淀试剂使反应液微微浑浊,然后震荡均匀;所述沉淀试剂为丙酮和醇的混合溶液,其中丙酮和醇的体积比为1∶0.3~3.0,所述醇选自:无水的甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇;并且反应液与沉淀试剂的体积比约为1∶9~11。

8.一种二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子,其特征在于:所述二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子以权利要求1所述量子点-聚电解质荧光纳米复合物为核,以二氧化硅为壳,其粒径为10-2000nm;所述二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子的制备方法为:通过反向微乳法将权利要求1所述外形为柔性条带的量子点-聚电解质荧光纳米复合物完全包被于二氧化硅壳中,形成二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子。

9. 一种二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子,其特征在于:所述二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子的粒径为10-2000nm;所述二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子的制备方法为:通过斯托博法将权利要求1所述外形为柔性条带的量子点-聚电解质荧光纳米复合物包被于二氧化硅硅壳之中,形成二氧化硅包覆的量子点-聚电解质荧光纳米粒子。

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