[发明专利]一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法

权利要求书

1.一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，其特征在于包括以下步骤：

a、硅盖板的制作：

（1）在硅片表面生长一层SiO₂热氧化层；

（2）制作深孔：在硅片正面采用光刻工艺，光刻深孔，用KOH溶液湿法腐蚀硅，形成与金属压焊点对应的深孔；

（3）在硅片背面溅射一层Ti/Au金属层；

（4）制作浅槽：在硅片背面采用光刻工艺，光刻浅槽图形，然后腐蚀Ti/Au、干法刻蚀二氧化硅、DRIE深反应离子体刻蚀硅，形成金-硅共晶键合的区域、MEMS器件和金属压焊点容纳区、连接导线、电隔离槽；

b、MEMS器件敏感结构层的制作：

（1）金属压焊点制作：在SOI硅片顶层硅上溅射一层Ti/Au金属层，采用光刻工艺光刻金属压焊点图形，然后腐蚀金属层，形成金属压焊点；

（2）浅槽刻蚀：在顶层硅上采用光刻工艺光刻浅槽图形，采用DRIE深反应等离子体刻蚀硅，形成浅槽；

（3）深槽刻蚀：采用光刻工艺光刻深槽图形，采用DRIE深反应离子体刻蚀硅至SOI硅片中的埋层二氧化硅，形成MEMS器件结构释放的深槽；

（4）结构释放：采用气态HF酸腐蚀SOI中的埋层二氧化硅，完成MEMS器件的结构释放，形成可动的MEMS敏感结构；

（5）去除光刻胶：对结构释放的MEMS器件芯片进行等离子去胶；

c、MEMS器件结构层和硅盖板键合：

（1）金-硅共晶键合：在双面光刻机中把硅盖板和MEMS器件结构层进行对准后，放在键合机中进行金-硅共晶键合，完成MEMS器件结构层和硅盖板的粘接；

（2）刻穿硅盖板上的深孔：对完成MEMS器件结构层和硅盖板键合后的圆片，利用DRIE深反应离子体刻蚀硅，使深孔刻穿，暴露出金属压焊点。