[发明专利]有机互补反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种有机互补反相器，其特征在于同一基板上由两种不同类型的有机薄膜晶体管组成互补晶体管：N型晶体管和P型晶体管；P型晶体管是由一n型材料和一p型材料的异质结构成，N型晶体管由n型材料构成，两个晶体管的n型材料共用；其中载流子耗尽-积累模型的p型有机异质结晶体管作为一个负载单元，另外一个载流子积累模型的n型有机薄膜晶体管作为驱动单元。

2.一种根据权利要求1所述的有机互补反相器，其特征在具体结构为在衬底（1）上依次为栅电极（2）和绝缘层（3）；在绝缘层（3）上有p型材料生长的岛状结构，随后整个绝缘层（3）上再长一层n型材料（5），最后有蒸镀电极（6）；或者是有先掩膜蒸镀电极（6），掩模蒸发p型材料(4)，随后整个面有一层n型材料（5），再掩膜蒸镀电极（6）；或者是先整个面真空蒸发n型材料（5），再掩模蒸发p型材料(4)和电极（6），p型材料(4)作为电子注入层。

3.根据权利要求2所述的有机互补反相器，其特征在于所述衬底（1）材料可为硅片、玻璃、塑料或者陶瓷中任一种。

4.根据权利要求2所述的有机互补反相器，其特征在于所述的n型材料（5）为氟代酞菁铜(F₁₆CuPc)、氟代酞菁锌(F₁₆ZnPc)、氟代酞菁铁(F₁₆FePc)、氟代酞菁钴(F₁₆CoPc)、氯代酞菁铜(Cl₁₆CuPc)、氯代酞菁锌(Cl₁₆ZnPc)、氯代酞菁铁(Cl₁₆FePc)、氯代酞菁钴(Cl₁₆CoPc)、氟代六噻吩(DFH-6T)、氯代六噻吩(DClH-6T)、C₆₀、3,4,9,10-苝四羧酸二酐(PTCDA)，N,N’-二苯基-3,4,9,10-苝四羧酸二胺(DP-PTCDI)、四氰基二甲基醌(TCNQ)、1,4,5,8-萘四羧酸二酐(NTCDA)、1,4,5,8-萘四羧酸二胺(NTCDI)、11,11,12,12-四氰基二甲基萘醌(TCNNQ)、四甲基四硒代富瓦烯(TMTSF)中任选一种；所述的p型材料(4)为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镍(NiPc)、酞菁钴(CoPc)、自由酞菁(H₂Pc)、酞菁铂(PtPc)、酞菁铅(PbPc)、并五苯(Pentacene)、并三苯、并四苯、红荧烯、6P、BP2T、5,5’-二(2-萘基)-2,2’-二噻吩(NaT2)、5,5”-二(2-萘基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(NaT3)、NaT4、5,5””-二(2-萘基)-2,2’:5’,2”:5”,2”’:5”’,2””-五噻吩(NaT5)、5,5””-二(2-萘基)- 2,2’:5’,2”:5”,2”’:5”’,2””:5””,2””-六噻吩(NaT6)、2,5-二(2-萘基)-[3,2-b]并二噻吩(NaTT2)、5,5’-二(2-硫茚基)-2,2’-二噻吩(TNT2)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(TNT3)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”-四噻吩(TNT4)、5,5”-二(2-硫茚基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”:5”’,2””-五噻吩(TNT5)、2,5-二(2-硫茚基)-[3,2-b]并二噻吩(TNTT)、5,5’-二(2-硫茚基)-2,2’-二[3,2-b]并二噻吩(TNTT2)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二噻吩(PhT2)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二噻吩(PhT2)、5,5”-二(2-菲基)-2,2’:5’,2”-三噻吩(PhT3)、5,5”’-二(2-菲基)-2,2’:5’,2”:5”,2’”-四噻吩(PhT4)、2,5-(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩(PhTT)、5,5’-二(2-菲基)-2,2’-二[3,2-b]并二噻吩(PhTT2)、聚吡咯(polypyrrolle,PP)、聚噻吩 (Polythiophene，PT)、聚三六甲基噻吩（P3HT）、聚苯酚 (Poly(p,p’-biphenol)，PBP)、聚2,5噻吩乙炔(poly(2,5-thienylenevinylene)，PTV)中的任选一种。