[发明专利]一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种双掺铌酸锂晶体，其特征在于，组成为：Sm_xM_y(Li_0.946NbO₃)_100-x-y，其中，M为Mg、Zn中的一种，0.15≤x≤0.3，当M为Mg时，5≤y≤8；当M为Zn时，6≤y≤7。

2.一种双掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

取X mol% Sm₂O₃、Y mol% MgO、Z mol% ZnO、A mol% Li₂CO₃、B mol% Nb₂O₅，然后干燥混匀得到混合物，其中X=0.15~0.3，Y=5~8，Z=6~7，Li₂CO₃与Nb₂O₅的化学计量比为0.946；

将混合物放入坩埚煅烧，然后再烧结得到掺杂铌酸锂的多晶原料；

将装有掺杂铌酸锂多晶原料的坩埚放入晶体生长炉，通过提拉法制备单晶。

3.根据权利要求2所述的双掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于：所述坩埚为铂坩埚。

4.根据权利要求3所述的双掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于：将混合物放入坩埚，在760℃煅烧4小时，然后再在1150℃烧结5~10小时得到掺杂铌酸锂的多晶原料。

5.根据权利要求3所述的双掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，将装有掺杂铌酸锂多晶原料的坩埚放入自动化提拉单晶炉，通过提拉法制备单晶，包括以下步骤：

将装有掺杂铌酸锂的多晶原料的铂坩埚放入保温罩内，然后将保温罩装炉；

用纯铌酸锂的[001]方向单晶棒为籽晶，调节籽晶杆，和轴心控制在偏差小于5%范围之内；

通过计算机界面设置升温程序，将坩埚内的多晶熔化，待熔体均匀稳定后，开始晶体生长；

调节升降籽晶杆，让籽晶和多晶液面接触，完成下晶过程，得到双掺铌酸锂晶体Sm_xM_y(Li_0.946NbO₃)_100-x-y，其中，M为Mg、Zn中的一种，0.15≤x≤0.3，当M为Mg时，5≤y≤8；当M为Zn时，6≤y≤7。

6.根据权利要求5所述的双掺铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于：通过提拉法制备单晶时，提拉速度为1.2~2mm/h，转速为16~22r/min，在拉拖后的降温过程中，降温速率为40~80℃/h。