[发明专利]单晶生长炉压力释放装置有效
| 申请号： | 201110254256.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102953120A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吕立强 | 申请（专利权）人： | 上海朗兆机电设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 200235 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 压力 释放 装置 | ||
1.单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，包括：
密封底座；
真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；
复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接。
2.根据权利要求1所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述复位装置包括：
导杆，所述导杆的一端设有支撑块，所述导杆的另一端与所述密封底座连接，在所述导杆与所述密封底座的连接端的外侧设有外螺纹；
复位弹簧，所述复位弹簧套设在所述导杆外侧。
3.根据权利要求2所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述密封底座包括相互层叠的真空焊接法兰与泄压盲板，所述真空管道通过所述真空焊接法兰与所述密封底座连接，所述导杆通过所述泄压盲板所述密封底座连接。
4.根据权利要求3所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板之间设有O形密封圈。
5.根据权利要求4所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板上还进一步设有贯穿所述真空焊接法兰与所述泄压盲板的安装孔，在所述安装孔的内圆周上设有内螺纹。
6.根据权利要求5所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述安装孔为均匀分布在所述真空焊接法兰与所述泄压盲板圆周上。
7.根据权利要求1或2或5所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述内螺纹与所述外螺纹契合，所述导杆及所述安装孔通过所述外螺纹与所述内螺纹连接。
8.根据权利要求7所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述导杆的数量与所述安装孔的数量相同，所述安装孔及述导杆的数量为八个。
9.根据权利要求8所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述各个导杆等高。
10.根据权利要求1所述的单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，所述真空管道与所述密封底座为垂直同轴安装。
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