[发明专利]一种燃烧合成法制备超细ITO粉体的方法无效

专利信息
申请号: 201110254341.8 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102417203A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 彭桂花;梁振华;何岸梅;韩小宝;李庆余;王红强 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00;C01G15/00
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 唐智芳
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 燃烧 成法 制备 ito 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及ITO粉体的制备方法,具体涉及一种燃烧合成法制备超细ITO粉体的方法。

背景技术

ITO(Indium Tin Oxides,锡铟氧化物)透明导电薄膜具有低电阻率、高可见光透射率、红外高反射比、良好的化学稳定性、玻璃基体结合牢固、高硬度、耐磨耐蚀等一系列优点,因此ITO薄膜在薄膜晶体管(TFT)、平板液晶显示(LCD)、电色层窗口以及红外辐射反射热镜薄膜等领域得到了广泛应用,是非常重要的电子功能材料。现有最成熟的ITO薄膜制备技术就是采用高密度和高纯度ITO陶瓷作为靶材,磁控溅射镀膜。作为制备ITO靶材的原料,要求ITO粉体纯度高、粒度小、具有优良的烧结活性,因此,ITO粉体的制备研究具有重要的意义。

目前,ITO粉体的制备方法主要有共沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法、喷雾燃烧法、凝胶燃烧法等,比如:

1、Kyung-Han Seo等人将SnCl4·5H2O和In(NO3)3·5.7H2O按一定比例溶于去离子水中,以氨水为沉淀剂,在常温下将金属离子以氢氧化物的形式沉淀出来,然后在常温下老化48小时,采用去离子水多次洗涤沉淀物,以去除多余的Cl和NO-3离子,最后在600℃煅烧1小时,最终得到一次粒径为20纳米ITO粉体[Kyung-han Seo,Joon-hyung Lee,Jeong-joo Kim,et al.Synthesis and electrical characterization of the polymorphic indium tin oxide nanocrystalline powders.Journal of the American ceramic Society,89(2006)3434-36]。

2、专利号为ZL200310111223.7的中国发明专利公开了一种In2O3、ITO单分散纳米粉体的水热制备方法,它是将一定量的金属铟和金属锡溶解于无机酸中,配成的混合溶液中总的金属离子的浓度为0.5~3.0mol/L,再将混合溶液进行树脂处理得到胶体溶液,将胶体溶液置入高压反应釜中并进行水热,水热反应温度为180~260℃,反应时间为4~24小时,反应完成后将产物洗涤、过滤,干燥后,再在500~1000℃的高温下煅烧2~4小时,最终得到粒径小于100纳米的ITO粉体。

3、Yang等人将InCl3·4H2O溶于乙酰丙酮,并在60℃熟化8小时,然后与SnCl4·5H2O的异丙醇溶液混合,其中In与Sn的摩尔比例为9∶1,该混合液在室温下老化24小时得到溶胶,将溶胶在120℃热处理得到凝胶,最后在500℃以上热处理2~16小时,即得到纳米级ITO粉体[L.L.Yang,X.D.He,F.He,Small angle X-ray scattering studies on structural evolution during calcination of sol-gel ITO nano-powders,Journal of Alloys and Compounds,470(2009)317-322]。

4、陈世柱等人报道了一种喷雾燃烧法制备ITO粉体,即将高纯金属锢和锡按含90%的In2O3和10%的Sn2O3的比例配好料,于陶瓷坩埚中熔制成一合金熔体,然后将此熔体过热到750℃,再引入到特制的雾化燃烧器中,借预热的高压氧气对此过热的合金熔体进行高效雾化,以形成微细的合金液雾,液雾随即在高温反应室中进行剧烈的氧化燃烧反应,发出耀眼的亮黄色强光,经急冷生成了黄色的ITO粉体[陈世柱,尹志民,黄伯云等,用喷雾燃烧法制备ITO纳米级粉末的研究,有色金属,2000,52(2):317-322]。

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