[发明专利]电介质陶瓷组合物和陶瓷电子部件有效
| 申请号： | 201110254346.0 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102381876A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 村川喜堂;中野幸惠;大槻史朗 | 申请（专利权）人： | ＴＤＫ株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/465;C04B35/47;C04B35/49;C04B35/622;H01G4/008;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;郭文洁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
【权利要求书】：
1. 电介质陶瓷组合物，其含有以通式ABO3表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物和R元素的氧化物，
上述A是Ba单独，或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种，上述B是Ti单独，或者是Ti与Zr，上述R元素是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种，
其特征在于，上述电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子，所述核壳结构包含核和存在于上述核的周围、并至少含有上述R元素的壳，
在上述壳中，上述R元素的含有比例最大的区域是上述核与上述壳的边界区域。
2. 权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，
上述核中实质上不含有上述R元素，
在从上述壳的外周部向着上述边界区域的方向上，上述R元素的含有比例逐渐增加。
3. 权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，将上述R元素的含有比例的最大值记作Rmax，将上述壳中的上述R元素的含有比例的平均值记作Rave时，上述Rmax和上述Rave满足1.1≤Rmax/Rave≤2.0的关系。
4. 陶瓷电子部件，其具有由权利要求1～3中任一项所述的电介质陶瓷组合物构成的电介质层和电极。
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