[发明专利]一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管

权利要求书

1.一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层之间，所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层，所述势垒层掺入P型掺杂剂。

2.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述有源区包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，是所述有源区包含最少2个层叠周期的具有不同禁带宽度的势垒层和势阱层重复交替层叠而组成。

3.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述势垒层的单层厚度为2～50nm；所述势阱层的单层厚度为1～5nm。

4.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述势垒层掺入P型掺杂剂的方法，是均匀掺杂或非均匀掺杂，所述非均匀掺杂包括渐变式的杂质浓度分布或阶跃式的杂质浓度分布。

5.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述层叠周期为3～15个层叠周期。

6.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述势垒层中，每一层势垒层都掺入P型掺杂剂；或一部分势垒层掺入P型掺杂剂，另一部分势垒层掺入N型掺杂剂或不掺入掺杂剂，其中掺入掺杂剂势垒层的层叠位置为3～15个层叠周期中的任何位置。

7.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述衬底层的表面设有成核层或缓冲层。

8.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述衬底层上或衬底层表面设有图形化衬底结构。

9.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述有源区中的势垒层和势阱层由Al_xIn_yGa_1-x-yN材料构成，其中0≤X≤1，0≤Y≤1；所述组成势垒层的Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N材料与组成势阱层的Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N材料组份中的X1、Y1与X2、Y2的值可相同或部分相同或不同，其中0≤X1≤1，0≤Y1≤1；0≤X2≤1，0≤Y2≤1；

所述P型掺杂剂选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Ra中的至少一种，所述N型掺杂剂选自C、Si、Ge、Sn、Pb、O、S、Se、Te、Po和Be中的至少一种；

所述P型掺杂剂的浓度最好为1×10¹⁶cm^-3～1×10²⁰cm^-3；所述N型掺杂剂的浓度最好为1×10¹⁶cm^-3～1×10²⁰cm^-3。

10.如权利要求1所述的一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于所述一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管设有载流子阻挡层和表面结构层。