[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201110254450.X | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623494A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：
第一半导体层，包括氮化物半导体；
第二半导体层，在上述第一半导体层之上设置，具有上述第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；
GaN的第三半导体层，在上述第二半导体层之上设置；
第四半导体层，在上述第三半导体层之上设置成在一部分具有间隙，具有上述第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；
第一电极，在上述第三半导体层之上设置于没有设置上述第四半导体层的部分；
第二电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合；和
第三电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的另一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
还具备第五半导体层，该第五半导体层在上述第三半导体层和上述第四半导体层之间设置，且包括n型氮化物半导体。
3.根据权利要求2所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第五半导体层包括AlmGa1-mN，其中，0≤m≤1。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一半导体层包括AlxGa1-xN，其中，0≤X≤1，
上述第二半导体层包括AlYGa1-YN，其中，0≤Y≤1、X≤Y，
上述第四半导体层包括AlZGa1-ZN，其中，0≤Z≤1、X≤Z。
5.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
还具备绝缘层，该绝缘层在上述第三电极和上述第三半导体层之间设置。
6.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第三电极与上述第三半导体层之间进行肖特基接合。
7.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一半导体层包括常截止型晶体管的沟道。
8.一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：
第一半导体层，包括氮化物半导体；
第二半导体层，在上述第一半导体层之上设置，具有上述第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；
GaN的第三半导体层，在上述第二半导体层之上的一部分设置；
第四半导体层，在上述第二半导体层之上在以上述第三半导体层为中间的两侧设置，具有上述第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；
第一电极，在上述第三半导体层之上设置于没有设置上述第四半导体层的部分；
第二电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合；和
第三电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的另一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合。
9.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一半导体层包括AlxGa1-xN，其中，0≤X≤1，
上述第二半导体层包括AlYGa1-YN，其中，0≤Y≤1、X≤Y，
上述第四半导体层包括AlZGa1-ZN，其中，0≤Z≤1、X≤Z。
10.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
还具备第五半导体层，该第五半导体层在上述第二半导体层和上述第四半导体层之间设置，且包括n型氮化物半导体。
11.根据权利要求10所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第五半导体层包括AlmGa1-mN，其中，0≤m≤1。
12.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
还具备绝缘层，该绝缘层在上述第三电极和上述第三半导体层之间设置。
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