[发明专利]有机电致发光器件有效
申请号: | 201110254519.9 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN102386208A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 柳俊锡;金龙哲 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 | ||
本申请要求享有于2010年8月27日提交的韩国专利申请10-2010-0083631的权益,在此将该专利申请引入本文。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件(OELD),更特别地,涉及一种在孔径比、色彩再现和分辨率上具有优势的OELD。
背景技术
尽管阴极射线管被广泛应用于显示器件,然而,也开发和使用了诸如等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器件(LCD)和OELD的平板显示器。
OELD是自发光型,不需要背光单元。因此,OELD重量轻且功耗低。另外,OELD具有出色的视角、对比度和响应时间等特性。特别地,OELD由较简单的工艺制造,因此OELD的生产成本低。近来,提出了柔性OELD。
图1是示出现有技术OELD的发光原理的能带图。
如图1所示,OELD的有机电致发光二极管10包括:阳极21、阴极25、空穴传输层(HTL)33、电子传输层(ETL)35和发光材料层(EML)40。HTL 33和ELT 35位于阳极21和阴极25之间,而发光材料层设置于HTL 33和ELT 35之间。另外,为提高发光效率,有机电致发光二极管10还包括在阳极21和HTL 33之间的空穴注入层(HIL)37以及在阴极25和ETL 35之间的电子注入层(EIL)39。
当向阳极21和阴极25施加电压时,来自阳极21的空穴和来自阴极25的电子被传输到EML 40以形成激子。激子从激发态跃迁到基态,从而产生光。结果,从EML 40发光。
通常,HIL 37、HTL 33、EML 40、ETL 35和EIL 39都是通过真空热沉积形成的。在真空热沉积中,在真空腔室中将基板设置于有机材料源的上方。加热该有机材料源,使得有机材料源沉积在基板上。结果,在基板上形成上述元件。在真空热沉积中,将包括多个开口的荫罩紧挨基板的上方设置,从而通过开口沉积有机材料。
近来,全色彩OELD包括红、绿和蓝发光材料层,以提供全色彩图像。在这种情况下,为防止在相邻的发光材料层之间的阴影效应,应该在相邻的发光材料层之间有预定空间。预定空间不能用于发光,使得它们被称为死区。
为了高分辨率和高色彩再现,优选的是减少死区的面积。然而存在技术限制。因此,为获得高分辨率和高色彩再现,发光材料层的面积被减小。遗憾的是,通过减少发光材料层的面积,OELD的孔径比也减小了。
另一方面,近来,提出了四像素型OELD以提高OELD的效率。在四像素型OELD中,也需要提高孔径比。
发明内容
本发明涉及一种OELD,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
本发明的其它特征和优点将在下面的描述中阐明,并且其中的一部分通过描述显而易见,或通过对本发明的实施获悉。本发明这些和其它优点可以通过书面描述、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。
根据本发明,如在此具体和广泛描述的,提供一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括:在第一像素区中的第一红子像素区、第一绿子像素区以及深蓝子像素区;以及在第二像素区中的第二红子像素区、第二绿子像素区以及天蓝子像素区,所述第二像素区与所述第一像素区相邻,其中所述第一红子像素区和所述第二红子像素区各包括第一电极、红有机发光材料图案和第二电极,所述第一绿子像素区和所述第二绿子像素区各包括所述第一电极、绿有机发光材料图案和所述第二电极,其中所述深蓝子像素区包括所述第一电极、深蓝有机发光材料图案和所述第二电极,所述天蓝子像素区包括所述第一电极、天蓝有机发光材料图案和所述第二电极;其中显示图像的单元像素包括所述深蓝子像素区和所述天蓝子像素区至少之一以及所述第二红子像素区和所述第二绿子像素区。
应该理解的是,前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,意在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解,附图并入到本说明书并构成本说明书的一部分,所述附图图示本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出现有技术OELD的发光原理的能带图。
图2是示出根据本发明的OELD的电路图。
图3是根据本发明的OELD的示意截面图。
图4是示出根据本发明实施例的OELD的像素排列的示意平面图。
图5是示出根据本发明实施例的OELD的像素排列的示意平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的