[发明专利]一种BOOTROM的优化方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种BOOTROM的优化方法。

【背景技术】

现有的BOOTROM(掩膜在芯片内部的引导程序)在有多种引导方式时，大多采用跳线选择方式，采用跳线选择方式烦琐而且会增加跳线选择成本；而且在NAND FLASH(flash闪存的一种)兼容性方面是按照现有的FLASH种类去编写驱动代码，因此存在以下的问题：

缺点一：采用跳线选择方式需要跳线选择从哪里引导；缺点二：新推出的NAND FLASH可能无法兼容。缺点三：片内需要较大SRAM(静态随机存储器)来存放loader(系统装载软件)或者将loader存放在SDRAM(同步动态随机存储器)，但BOOTROM初始化各种SDRAM存在一定的风险。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题，在于提供一种BOOTROM的优化方法，它能够克服NAND FLASH的兼容性差，多种引导方式需采用跳线选择的问题。

本发明是这样实现的：一种BOOTROM的优化方法，具体包括如下步骤：

步骤10、芯片复位后用低频宽时序读取NAND FLASH的ID，如果读取到的NAND FLASH的厂商ID和器件ID都是0x00或0xff，则没有接NAND FLASH，直接转到步骤50，如果读取到可以识别的ID则转入步骤20，如果读取到不可以识别的ID则转入步骤30；

步骤20、使用读取到的ID的物理参数读取第一个BLOCK(块，NAND FLASH的擦除单位)的头信息数据，对读取到头信息数据进行校验，判断是否是所需的引导代码数据组织结构，若是则在该BLOCK的后续PAGE(页，NAND FLASH的编程单位)中读取引导代码，转步骤40，若不是则读取下一个BLOCK的头信息数据；

步骤30、探测所述ID的物理参数，再使用探测到的ID的物理参数读取第一个BLOCK的头信息数据，对读取到头信息数据进行校验，判断是否是所需的引导代码数据组织结构，若是则在该BLOCK的后续PAGE种读取引导代码，转步骤40，若不是则读取下一个BLOCK的头信息数据；

步骤40、按如下引导方法读取引导代码：读取到头信息数据后，根据数据结构读取loader(系统装载软件)的第一部分代码并存放在芯片内部SRAM中，经验证有效后执行这份代码，完成系统频率提升及必要SDRAM初始化；读取loader的第二部分代码，验证有效后，提交CPU控制权，完成引导，若没有读到头信息数据或loader第一部分代码和第二部分代码不完整有效，则不能从NAND FLASH引导，转到步骤50；

步骤50、按照步骤40的引导方法从SPI FLASH(一种通用flash，它采用串行外设接口)读取引导代码，如果引导代码有效则完成引导，若引导代码无效则转到步骤60；

步骤60、按照步骤40的引导方法从emmc(嵌入式的MMC卡接口的存储器，它是一颗芯片而不是卡)接口的存储器读取引导代码，如果引导代码有效则完成引导，如果引导代码无效则转到步骤70；

步骤70、初始化UART(通用异步接收/发送装置)端口和USB端口，等待和PC建立连接，任意一个端口有合法有效的升级请求，则转入该端口的引导模式。

进一步的，所述步骤20中，所述ID的物理参数包括I/O宽度、PAGE大小、BLOCK大小、命令及地址、ECC(错误检查和纠正)，利用ID的物理参数去读取第一个BLOCK的512B或1KB头信息数据，若ECC有错，则切换ECC位数后再读取直到正确。

进一步的，所述步骤40中，整份loader代码在NAND FLASH中按PAGE连接，若无结束标志则表明代码不完整。

本发明具有如下优点：

本发明不用跳线方式就可以从多种引导选择中进行引导，可以去掉跳线选择成本，而且简单易用；

本发明严格判断loader的完整性，避免异常情况导致开不了机，loader代码采用两部分组成，第一部分很小在片内SRAM中运行，完成提升系统频率及必要的SDRAM初始化，第二部分在SDRAM中运行，是负责引导操作系统的loader；既保证芯片稳定可靠，不需要在BOOTROM里跑高频、去初始化各种SDRAM/DDR SDRAM，也不需要更大的片内SRAM来存放loader代码，又能增加各种灵活性及引导速度；

本发明对NAND FLASH作各种物理参数的探测，大大提高兼容性，新推出的NAND FLASH可以不用修改BOOTROM里的驱动代码，不用修改芯片的成本及加快芯片上市的时间。