[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

在半导体基板形成的焊盘电极；

以使所述焊盘电极的表面露出的方式在所述半导体基板上形成的保护膜；

在所述焊盘电极及所述保护膜上形成的基底阻挡金属膜；

隔着所述基底阻挡金属膜在所述焊盘电极上形成的电极布线部，

所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为30％以上，所述电极布线部的直径为140μm以下。

2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为80％以上，所述电极布线部的直径为40μm以下。

3.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为98％以上，所述电极布线部的直径为20μm以下。

4.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极布线部为突出电极。

5.权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出电极为焊球。

6.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极布线部为柱状物、再布线或焊盘。

7.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基底阻挡金属膜的下层为选择Ti、TiN、TiW、W、Ta、Cr、CoTi中的一个、所述基底阻挡金属膜的上层为选择Cu、Al、Pd、Au、Ag中的一个的层叠构造。

8.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板形成了集成电路。

9.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜为无机绝缘体。

10.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从所述保护膜的表面除去了所述保护膜的蚀刻残渣。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板上形成焊盘电极的工序；

以覆盖所述焊盘电极的方式在所述半导体基板上形成保护膜的工序；

在所述保护膜上形成在所述焊盘电极上具有第1开口部的第1光刻胶图形的工序；

通过以所述第1光刻胶图形为掩模来蚀刻所述保护膜，在所述保护膜形成使所述焊盘电极露出的第2开口部的工序；

除去形成了所述第2开口部的所述保护膜上的所述第1光刻胶图形的工序；

通过蚀刻所述保护膜的表面，从所述保护膜的表面除去所述焊盘电极的蚀刻残渣的工序；

在所述焊盘电极上及从表面除去了所述焊盘电极的蚀刻残渣的保护膜上形成基底阻挡金属膜的工序；

在所述基底阻挡金属膜上形成在所述焊盘电极上具有第3开口部的第2光刻胶图形的工序；

在所述基底阻挡金属膜上形成埋入所述第3开口部的电极布线部的工序；

除去形成了所述电极布线部的所述基底阻挡金属膜上的所述第2光刻胶图形的工序；

通过以所述电极布线部为掩模来蚀刻所述基底阻挡金属膜，除去所述电极布线部的周围的所述基底阻挡金属膜的工序。

12.权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2光刻胶图形的基底的表面反射率在波长800nm中为30％以上，所述第3开口部的开口直径在140μm以下。

13.权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2光刻胶图形的基底的表面反射率在波长800nm中为80％以上，所述第3开口部的开口直径在40μm以下。

14.权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2光刻胶图形的基底的表面反射率在波长800nm中为98％以上，所述第3开口部的开口直径在20μm以下。

15.权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述电极布线部是突出电极。

16.权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述突出电极是焊球。

17.权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述电极布线部是柱状物、再布线或焊盘。