[发明专利]一种测试结构及测试方法在审
申请号: | 201110255738.9 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102967813A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/12;H01L23/544 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构,其特征在于,包括:两个梳状测试电路,所述两个梳状测试电路的梳齿金属线交错相嵌,其中,每个梳齿金属线至少一侧连接有若干平行或垂直于所述梳齿金属线的测试单元,不同梳状测试电路的相邻的测试单元相对排列。
2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述两个梳状测试电路的测试单元都为平行于所述梳齿金属线的第一金属线。
3.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,其中一个梳状测试电路的测试单元为垂直于所述梳齿金属线的第二金属线,另一个梳状测试电路的测试单元为所述梳齿金属线。
4.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述两个梳状测试电路的测试单元都为垂直于所述梳齿金属线的第三金属线。
5.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距为两个梳状测试电路之间的间距的最小值。
6.如权利要求5所述的测试结构,其特征在于,除了不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距,所述两个梳状测试电路之间的其他间距至少为所述不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距的2倍。
7.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,不同梳状测试电路之间形成有介质,所述介质为氧化硅或低K介质材料。
8.一种测试方法,其特征在于,包括:
提供若干不同的测试结构;
测量所述测试结构中两个梳状测试电路之间的击穿电压;
根据所述梳状测试电路之间的击穿电压以及对应梳状测试电路的测试单元的类型,测试不同金属互连线的布线对击穿电压的影响程度。
9.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,所述不同的测试结构包括第一测试结构、第二测试结构、第三测试结构,所述第一测试结构的两个梳状测试电路的测试单元都为平行于所述梳齿金属线的第一金属线,所述第二测试结构的其中一个梳状测试电路的测试单元为垂直于所述梳齿金属线的第二金属线,另一个梳状测试电路的测试单元为所述梳齿金属线,所述第三测试结构的两个梳状测试电路的测试单元都为垂直于所述梳齿金属线的第一金属线。
10.如权利要求9所述的测试方法,其特征在于,所述不同的测试结构中,不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距相等。
11.如权利要求9所述的测试方法,其特征在于,在同一个测试结构中,所述不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距为两个梳状测试电路之间的间距的最小值。
12.如权利要求11所述的测试方法,其特征在于,在同一个测试结构中,除了不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距,所述两个梳状测试电路之间的其他间距至少为所述不同梳状测试电路的相邻的测试单元之间的间距的2倍。
13.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,测量所述梳状测试电路之间的击穿电压的方法为:在所述两个梳状测试电路之间施加测试电压,并同时测量所述梳状测试电路之间的漏电流,逐步增加测试电压直至漏电流陡然上升,所述漏电流陡然上升时的测试电压为击穿电压。
14.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,提供若干个具有相同测试单元但相邻的测试单元之间间距不同的测试结构,通过测量所述测试结构的击穿电压,测试出相邻测试单元之间的间距的变化对所述测试单元之间的击穿电压的影响程度。
15.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,提供若干个具有相同测试单元但用于电隔离的介质层不同的测试结构,通过对所述测试结构的击穿电压进行测量,测试出不同的介质对击穿电压的影响程度。
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