[发明专利]一种半导体结构及其形成方法，一种晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部材料和侧壁材料为结晶态；

将所述第一凹槽底部的材料由结晶态转变为无定形态；

所述第一凹槽底部的材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；

形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；

形成填充满所述第二凹槽和第三凹槽的填充层。

2.依据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为晶面取向为(100)的硅衬底。

3.依据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺去除所述为无定形态的底部材料，形成第三凹槽。

4.依据权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀工艺的参数为：压强为5-50T，偏压为50-300V，刻蚀气体为He、HBr、O₂，刻蚀时间为2-60秒，其中He的流量是200-600sccm、HBr的流量是200-600sccm、O₂的流量是2-20sccm。

5.依据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺将所述第一凹槽底部的材料由结晶态转变为无定形态。

6.依据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的形状为sigma形状。

7.一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沿半导体衬底表面至上而下形成，且相通的第二凹槽和第三凹槽；填充满所述第二凹槽和第三凹槽的填充层；其特征在于，所述第二凹槽的形状为sigma形状，第三凹槽的形状为矩形。

8.一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的第一凹槽，所述第一凹槽的底部材料和侧壁材料为结晶态；

将所述第一凹槽的底部材料由结晶态转变为无定形态；

所述第一凹槽的底部材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；

形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；

在所述第二凹槽和第三凹槽内形成硅锗层，并对所述硅锗层掺杂，形成源、漏极。

9.依据权利要求8所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为晶面取向为(100)的硅衬底。

10.依据权利要求8所述的晶体管形成方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺去除所述为无定形态的底部材料，形成第三凹槽。

11.依据权利要求10所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述反应离子刻蚀工艺的参数为：压强为5-50T，偏压为50-300V，刻蚀气体为He、HBr、O₂，刻蚀时间为2-60秒，其中He的流量是200-600sccm、HBr的流量是200-600sccm、O₂的流量是2-20sccm。

12.依据权利要求8所述的晶体管形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺将所述第一凹槽的底部材料由结晶态转变为无定形态。

13.依据权利要求12所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的离子是锗，注入的能量3-10kev，剂量是1E14-5E15atom/cm²。

14.依据权利要求8所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的形状为sigma形状，深度为300-600埃；所述第三凹槽的形状为矩形，深度为10-200埃。

15.一种晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧半导体衬底内形成有凹槽；位于所述凹槽内的硅锗层，所述硅锗层构成晶体管的源、漏极；其特征在于，所述凹槽包括沿半导体衬底表面至上而下形成，且相通的第二凹槽和第三凹槽，其中所述第二凹槽的形状为sigma形状，所述第三凹槽的形状为矩形。

16.依据权利要求15所述的晶体管，其特征在于，所述第二凹槽的深度为300-600埃；所述第三凹槽的深度为10-200埃。