[发明专利]减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种减少水痕缺陷的晶片清洗方法，包括：

采用氢氟酸溶液清洗晶片；

采用去离子水清洗所述晶片；

对所述晶片进行干燥处理；

其特征在于，所述氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂。

2.如权利要求1所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中添加了表面活性剂，所述去离子水中添加了异丙醇溶液。

3.如权利要求2所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中添加的表面活性剂的体积比为0.05％～0.5％，温度为23℃～30℃。

4.如权利要求2所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加的异丙醇溶液的体积比为0.05％～5％，温度为23℃～30℃。

5.如权利要求1所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中未添加表面活性剂，所述去离子水中添加了表面活性剂。

6.如权利要求5所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加的表面活性剂的体积比为0.05％～0.5％，温度为23℃～30℃。

7.如权利要求5所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用添加了表面活性剂的去离子水清洗所述晶片之后，对所述晶片进行干燥处理之前，还包括：采用去离子水清洗所述晶片，所述去离子水中添加了异丙醇溶液。

8.如权利要求7所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加的异丙醇溶液的体积比为0.05％～5％，温度为23℃～30℃。

9.如权利要求1所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液和去离子水中均添加了表面活性剂。

10.如权利要求9所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中添加的表面活性剂的体积比为0.05％～0.5％，温度为23℃～30℃。

11.如权利要求9所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加的表面活性剂的体积比为0.05％～0.5％，温度为23℃～30℃。

12.如权利要求9所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用添加了表面活性剂的去离子水清洗晶片之后，对所述晶片进行干燥处理之前，还包括：采用去离子水清洗所述晶片，所述去离子水中添加了异丙醇溶液。

13.如权利要求12所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加的异丙醇溶液的体积比为0.05％～5％，温度为23℃～30℃。

14.如权利要求1至13中任意一项所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用异丙醇蒸气对所述晶片进行干燥处理。

15.如权利要求1至13中任意一项所述的减少水痕缺陷的晶片清洗方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液清洗晶片之前，还包括：

采用SC1清洗液清洗晶片；

对所述晶片进行QDR处理；

采用SC2清洗液清洗晶片；

再次对所述晶片进行QDR处理。

16.一种半导体器件制造方法，包括：

提供一晶片；

采用如权利要求1～15中任意一项所述的方法清洗所述晶片；

在所述晶片上生长外延硅或外延锗硅。