[发明专利]四氯化硅的无害化处理及综合利用方法有效

专利信息
申请号: 201110256122.3 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102417227A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 柯玉章 申请(专利权)人: 柯玉章
主分类号: C02F1/58 分类号: C02F1/58
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 赵丽
地址: 614900 四川省乐山市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 氯化 无害化 处理 综合利用 方法
【权利要求书】:

1.一种四氯化硅的无害化处理及综合利用方法,其特征在于:具体工艺步骤如下:

A、于四氯化硅水解反应生成液体存储池内,贴上纳米二氧化钛固载催化剂瓷砖,每立方米液体用3~5平方米,在自然光照射下,催化1~3小时;

B、于催化后的液体中加人氢氧化钙,pH值控制在8~10,即反应生成溶解于水的氯化钙和硅酸钙沉淀;

C、将步骤B生成的氯化钙液体和硅酸钙沉淀分离,硅酸钙沉淀经洗涤烘干制成水合硅酸钙,分离的液体回收返回四氯化硅水解工艺再利用。

2.根据权利要求1所述的四氯化硅的无害化处理及综合利用方法,其特征在于:所述纳米二氧化钛固载催化剂的制备方法已记载于申请号为99117362.7的专利申请技术中,即“在陶瓷上烧固二氧化钛膜面的生制备方法”,它依次按以下步骤进行:①清洁载体:将需烧固二氧化钛膜面的陶瓷载体表面清洁去污;②涂覆成膜:将配制的膜液均匀涂覆于已清洁去污的陶瓷载体表面形成膜面,涂覆量为:每平方厘米涂覆二氧化钛1~4毫克;③入窑烧制:将已形成膜面的陶瓷载体送入窑内烧固膜面,控制烧制温度:600~900℃、烧制时间:20~40分钟;④出窑冷却:即制得烧固有二氧化钛膜面的陶瓷成品;所述的清洁载体的步骤之前还包括配制膜液的步骤:膜液的原料配方(按重量计):TiO2 1份;NaHCO0.01~0.03份;H2O 2~5份;CuSO4·5H2O 0.04~0.06份;经称量后放入容器内充分搅拌即制得膜液。

3.根据权利要求1或2所述的四氯化硅的无害化处理及综合利用方法,其特征在于:所述纳米二氧化钛固载催化剂的载体是白色釉面瓷砖,在使用时是将瓷砖贴在四氯化硅水解液存储池的底部和内壁上,每立方米液体用3~5平方米瓷砖。

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