[发明专利]一种鳍型场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110256123.8 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969248A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1.一种鳍型场效应晶体管的制作方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成硬掩膜；
蚀刻形成鳍片；
缩减所述硬掩膜；
在所述半导体基底上形成牺牲层；
实施第一刻蚀，去除一部分所述牺牲层；
实施第二刻蚀，去除一部分所述牺牲层以及部分所述鳍片的上部边角，使所述鳍片的边角圆滑化；
去除所述牺牲层和所述硬掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基底为一SOI基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩膜为SiN或SiN/SiO2。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述鳍片材料包括Si、Ge、SiGe中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用湿法刻蚀工艺缩减所述硬掩膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用干法刻蚀工艺缩减所述硬掩膜。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层为SiN或SiON。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一刻蚀基于CF4, CHF3, CH3F气体，SiN/Si的选择性为1~10之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二刻蚀基于CF4, Ar, O2, SiN/Si的选择性为0.7~1.5之间。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述牺牲层和所述硬掩膜后还包括氧化和/或退火的步骤，进一步去除鳍片的上部边角，使所述鳍片的边角进一步圆滑化。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该退火步骤在H2或He中进行，退火温度为800~1200度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
