[发明专利]发光元件

说明书

本申请基于分别于2010年8月27日和2011年6月8日提交的日本专利申请No.2010-190779和日本专利申请No.2011-128390，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及具有将其中发射的光以其光提取方向反射的结构的发光元件。

背景技术

迄今为止，已知一种倒装片类型的发光元件，其中，p型电极和n型电极形成于在蓝宝石衬底上所形成的氮化物半导体的同一表面内(例如，JP-A-2008-288548)。JP-A-2008-288548中公开的发光元件具有在p型半导体层和n型半导体层之间的发光层，并且在p型半导体层上形成有具有半透明性的、由铟锡氧化物(ITO)等所组成的扩散电极。在扩散电极上形成有通过按顺序地堆叠Ni和Al、然后进行加热以合金化而获得的缓冲电极。另外，用于对从发光层发射并穿过了扩散电极的光进行反射的金属反射膜形成在扩散电极上方、不同于缓冲电极的部分中。

发明内容

JP-A-2008-288548中公开的发光元件可以工作以使得从发光层发射并穿过扩散电极的光的一部分被金属反射膜所反射，而光的其它部分被缓冲电极或n型电极所吸收。因此，发光元件在提高光提取效率方面受限。

因此，本发明的目的是提供一种提取从其发光层所发射的光的光提取效率能够提高的发光元件。

(1)根据本发明的一个实施例，发光元件包括：

半导体层状结构，该半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，发光层和第二半导体层的一部分被去除，以暴露出第一半导体层的一部分；

第一反射层，该第一反射层在半导体层状结构上并且包括开口，该开口形成在第一半导体层的被暴露的部分中；

透明配线电极，该透明配线电极用于通过开口向第一半导体层或第二半导体层中注入载流子；以及

第二反射层，该第二反射层形成于透明配线电极上并覆盖开口的一部分，以便将从发光层发射并穿过开口的光反射回第一半导体层。

在本发明的上述实施例(1)中，可以进行下述修改和改变。

(i)发光元件还包括：

接触电极，该接触电极包括透明导电层，该接触电极的一个表面与透明配线电极相接触，而该接触电极的另一表面与第一半导体层或第二半导体层相接触。

(ii)接触电极包括与透明配线电极相同的电极材料。

(iii)第一反射层形成于第二半导体层或第一半导体层的接触电极的一部分上。

(iv)发光元件还包括：

绝缘层，该绝缘层形成于第一反射层和第二反射层之间和/或第一反射层和透明配线电极之间。

(v)发光元件还包括：

金属配线电极，该金属配线电极形成于第一反射层上的、除开口之外的区域处，且该金属配线电极电连接到透明配线电极。

(vi)第一反射层包括第二半导体层的接触电极。

(vii)透明配线电极与第一半导体层接触。

(viii)第一半导体层的接触电极包括透明导电层，并且透明配线电极与透明导电层接触。

(ix)发光元件是倒装片类型的，以便沿着从第一反射层或第二反射层穿过半导体层状结构的方向来提取从发光层发射的光。

本发明的要点

根据本发明的一个实施例，构造发光元件，使得p型半导体层的p侧接触层上的接触电极由对从有源层发射的光是透明的ITO所形成，第一反射层形成于其上，而第二反射层形成于第一反射层的、设置有p侧透明配线电极层的p侧第一绝缘薄膜开口上。因此，可以将所发射的光以高比率反射回光提取方向，而不被p侧透明接触电极所吸收，使得可以提高发光元件的光提取效率。

附图说明

下面将参照附图解释根据本发明的优选实施例，其中：

图1是示意性地示出根据本发明第一实施例的发光元件的结构的平面图；

图2A是沿着图1中的A-A线的横截面图；

图2B是图2A的局部放大视图；

图3A到图3I是示意性地示出根据本发明的第一实施例的发光元件制造过程中的一个步骤的平面图；

图4是示意性地示出根据本发明第二实施例的发光元件的结构的平面图；以及

图5是示意性地示出根据本发明第三实施例的发光元件的结构的平面图。

具体实施方式

第一实施例