[发明专利]多晶硅及其制造方法在审

申请号：	201110256319.7	申请日：	2011-08-25
公开（公告）号：	CN102383194A	公开（公告）日：	2012-03-21
发明（设计）人：	R·佩赫;E·多恩贝格尔	申请（专利权）人：	瓦克化学股份公司
主分类号：	C30B29/06	分类号：	C30B29/06;B03B4/00
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	过晓东
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	多晶及其制造方法
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【权利要求书】：

1.多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有10至40mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。

2.多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有20至60mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。

3.多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有大于45mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。

4.多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有3至15mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于45ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于30ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于20ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于1ppmw的表面金属杂质。

5.多晶硅，其包含多晶硅碎块，其中至少90％的碎块具有0.5至5mm的尺寸，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于70ppmw，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于62ppmw，粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于60ppmw，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于40ppmw，此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于10ppmw的表面金属杂质。

6.根据权利要求1至5之一的多晶硅，其中所述表面杂质的金属选自以下组中：Fe、Cr、Ni、Na、Zn、Al、Cu、Mg、Ti、W、K、Co和Ca。

7.根据权利要求1或2的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至50ppbw的表面铁杂质。

8.根据权利要求7的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至50ppbw的表面钨杂质。

9.根据权利要求3的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至10ppbw的表面铁杂质。

10.根据权利要求9的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至50ppbw的表面钨杂质。

11.根据权利要求4的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至500ppbw的表面铁杂质。

12.根据权利要求11的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至500ppbw的表面钨杂质。

13.根据权利要求5的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至1ppmw的表面铁杂质。

14.根据权利要求13的多晶硅，其特征在于0.01ppbw至5ppmw的表面钨杂质。

15.根据权利要求1至3之一或权利要求7至10之一的多晶硅，其特征在于，粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw。

16.根据权利要求1至3之一或权利要求7至10之一的多晶硅，其特征在于，粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于1ppmw，而粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于5ppmw。

17.根据权利要求4或权利要求11至12之一的多晶硅，其特征在于，粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于30ppmw。