[发明专利]离子植入方法有效
申请号: | 201110257313.1 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN102324383A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 林伟政;沈政辉 | 申请(专利权)人: | 汉辰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾新竹县宝山乡*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 植入 方法 | ||
1.一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,该离子植入方法,包含下面步骤:
提供一离子束,其中该离子束中含有多个离子;以及
将该离子束中的该些离子依据一扫描速率对该靶材进行一维扫描植入该靶材,其中该扫描速率为一变动值;及依据该靶材所需植入离子的浓度分布,改变该离子束的离子浓度分布。
2.如权利要求1所述的离子植入方法,其特征在于,该扫描速率依据该靶材所需植入离子的浓度分布不同而做调变。
3.如权利要求1所述的离子植入方法,其特征在于,该离子束的分布与该靶材的扫描方向垂直。
4.如权利要求1所述的离子植入方法,其特征在于,更包含计算该离子束的一扫描速率曲线及转动该靶材,其中该扫描速率曲线针对该离子束的浓度分布与该靶材所需植入离子的浓度分布经由运算而得,其中该扫描速率指单一扫描的扫描速率,控制每一该单一扫描的该扫描速率曲线,且每一单一扫描的一平均速率随着剂量分布做调整。
5.如权利要求1所述的离子植入方法,其特征在于,更包含调整该靶材的一垂直轴的角度。
6.一种调整离子束扫描速率的方法,用于将一离子束中的多个离子对该靶材进行一维扫描,其中该离子束為浓度非均匀分布的离子束,该调整离子束扫描速率的方法,包含:
取得该离子束的浓度分布;
取得该靶材所需植入离子的浓度分布;以及
计算该离子束的一扫描速率曲线,其中该扫描速率曲线為针对该离子束的浓度分布与该靶材所需植入离子的浓度分布经由运算而得,其中控制每一单一扫描的该扫描速率曲线,且每一单一扫描的一平均速率随着剂量分布做调整。
7.如权利要求6所述的调整离子束扫描速率的方法,其特征在于,计算出扫描速率后,更包含判断该扫描速率曲线是否落入一有效区间值内。
8.如权利要求7所述的调整离子束扫描速率的方法,其特征在于,若该扫描速率曲线范围超出该有效区间,则更包含一调整步骤,调整该离子束的浓度分布。
9.如权利要求8所述的调整离子束扫描速率的方法,其特征在于,进行该调整步骤后,重新计算该扫描速率曲线。
10.如权利要求9所述的调整离子束扫描速率的方法,其特征在于,该靶材包含晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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