[发明专利]用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置及其方法无效

专利信息
申请号: 201110257345.1 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102965632A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 周军;傅昶 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 陆花
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 物理 沉积 磁场强度 稳定 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,所述物理气相沉积腔室包括靶和磁体,所述靶具有有效表面,用以溅射靶材料,其特征在于,还包括:

侦测器,用以测量所述靶消耗的厚度值;

位置控制元件,根据所述靶消耗的厚度值调整所述靶和所述磁体之间的距离。

2.根据权利要求1所述的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,其特征在于,所述位置控制元件包括数据接收单元,所述数据接收单元与所述侦测器信号连接,用以接收所述侦测器测量的靶消耗的厚度值。

3.根据权利要求1所述的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,其特征在于,所述位置控制元件还包括螺纹杆,用以调整所述靶和所述磁体之间的距离。

4.根据权利要求1至3中任一项的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,其特征在于,所述侦测器为称重器。

5.根据权利要求1至3中任一项的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,其特征在于,所述侦测器为红外线发生器。

6.根据权利要求1至3中任一项的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置,其特征在于,所述侦测器为声学侧厚仪。

7.一种用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定的方法,包括:

利用侦测器测量靶消耗的厚度值,并将所述厚度值发送至位置控制元件;

所述位置控制元件根据所述厚度值调整所述靶和磁体之间的距离,使所述靶的有效表面磁场强度稳定。

8.根据权利要求7所述的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定的方法,其特征在于,所述位置控制元件包括数据接收单元,所述数据接收单元与所述侦测器信号连接,用以接收所述侦测器测量的靶消耗的厚度值。

9.根据权利要求7所述的用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定的方法,其特征在于,所述位置控制元件还包括螺纹杆,用以调整所述靶和所述磁体之间的距离。

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