[发明专利]累积型场效应管可变电容及其制造工艺有效
申请号: | 201110257353.6 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102280497A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 黎坡 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/94 | 分类号: | H01L29/94;H01L29/06;H01L21/334 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 累积 场效应 可变电容 及其 制造 工艺 | ||
1.一种累积型场效应管可变电容,包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,所述阱结构为低阈值阱或深阱。
2.如权利要求1所述的可变电容,其特征在于,所述低阈值阱的掺杂浓度为4E16cm-3~6E17cm-3,以及所述深阱的深度为0.5微米~2微米,所述深阱的掺杂浓度为4E16cm-3~4E17cm-3。
3.一种累积型场效应管可变电容,包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,所述阱结构采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成。
4.如权利要求3所述的可变电容,其特征在于,所述采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成的阱结构掺杂浓度为1E16cm-3~2E17cm-3。
5.一种累积型场效应管可变电容制造工艺,所述可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,该工艺包括步骤:
提供衬底;
在衬底上形成绝缘层;
基于阱光掩模版,光刻绝缘层,形成阱掺杂区;
对阱掺杂区进行杂质离子注入,形成低阈值阱或深N阱;
通过后续常规工艺,完成栅极、源极及漏极结构的制作。
6.如权利要求5所述的制造工艺,其特征在于,所述低阈值阱的掺杂浓度为4E16cm-3~6E17cm-3,以及所述深阱的深度为0.2微米~1微米,所述深阱的掺杂浓度为4E16cm-3~4E17cm-3。
7.如权利要求6所述的制造工艺,其特征在于,所述杂质离子是As或者Ph,注入剂量为1E12cm-2~1E13cm-2,注入能量为20Kev~400Kev。
8.如权利要求6所述的制造工艺,其特征在于,所述杂质离子Ph,注入剂量为1E12cm-2~2E13cm-2,注入能量为20Kev~2000Kev。
9.一种累积型场效应管可变电容制造工艺,所述可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,该工艺包括步骤:
提供衬底;
在衬底上形成绝缘层;
基于阱光掩模版,光刻绝缘层,形成阱掺杂区;
采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成阱结构;
通过后续常规工艺,完成栅极、源极及漏极结构的制作。
10.如权利要求9所述的制造工艺,其特征在于,所述离子注入工艺注入的离子是As或Ph,注入剂量为1E12cm-2~1E13cm-2,注入能量为20Kev~130Kev。
11.如权利要求9所述的制造工艺,其特征在于,所述阱结构的掺杂浓度为1E16cm-3~2E17cm-3。
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