[发明专利]累积型场效应管可变电容及其制造工艺有效

专利信息
申请号: 201110257353.6 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102280497A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 黎坡 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L29/94 分类号: H01L29/94;H01L29/06;H01L21/334
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 累积 场效应 可变电容 及其 制造 工艺
【权利要求书】:

1.一种累积型场效应管可变电容,包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,所述阱结构为低阈值阱或深阱。

2.如权利要求1所述的可变电容,其特征在于,所述低阈值阱的掺杂浓度为4E16cm-3~6E17cm-3,以及所述深阱的深度为0.5微米~2微米,所述深阱的掺杂浓度为4E16cm-3~4E17cm-3

3.一种累积型场效应管可变电容,包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,所述阱结构采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成。

4.如权利要求3所述的可变电容,其特征在于,所述采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成的阱结构掺杂浓度为1E16cm-3~2E17cm-3

5.一种累积型场效应管可变电容制造工艺,所述可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,该工艺包括步骤:

提供衬底;

在衬底上形成绝缘层;

基于阱光掩模版,光刻绝缘层,形成阱掺杂区;

对阱掺杂区进行杂质离子注入,形成低阈值阱或深N阱;

通过后续常规工艺,完成栅极、源极及漏极结构的制作。

6.如权利要求5所述的制造工艺,其特征在于,所述低阈值阱的掺杂浓度为4E16cm-3~6E17cm-3,以及所述深阱的深度为0.2微米~1微米,所述深阱的掺杂浓度为4E16cm-3~4E17cm-3

7.如权利要求6所述的制造工艺,其特征在于,所述杂质离子是As或者Ph,注入剂量为1E12cm-2~1E13cm-2,注入能量为20Kev~400Kev。

8.如权利要求6所述的制造工艺,其特征在于,所述杂质离子Ph,注入剂量为1E12cm-2~2E13cm-2,注入能量为20Kev~2000Kev。

9.一种累积型场效应管可变电容制造工艺,所述可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端,其特征在于,该工艺包括步骤:

提供衬底;

在衬底上形成绝缘层;

基于阱光掩模版,光刻绝缘层,形成阱掺杂区;

采用P-MOS阈值电压调整离子注入工艺形成阱结构;

通过后续常规工艺,完成栅极、源极及漏极结构的制作。

10.如权利要求9所述的制造工艺,其特征在于,所述离子注入工艺注入的离子是As或Ph,注入剂量为1E12cm-2~1E13cm-2,注入能量为20Kev~130Kev。

11.如权利要求9所述的制造工艺,其特征在于,所述阱结构的掺杂浓度为1E16cm-3~2E17cm-3

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110257353.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top