[发明专利]晶体管PN结的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管PN结的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底的表面形成光阻层，所述光阻层包括用于形成所述PN结的沟槽；

对所述光阻层进行硬化处理，所述沟槽的宽度自上而下逐渐变窄；

以硬化处理后的所述光阻层为掩膜，对所述衬底进行离子植入，所述衬底内形成离子注入区；

去除所述光阻层；

退火处理所述离子注入区，形成所述PN结，所述PN结的纵剖面由两侧向中间逐渐变窄。

2.根据权利要求1所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，在所述衬底表面形成光阻层之前，先在所述衬底的表面形成屏蔽氧化层，所述光阻层形成于所述屏蔽氧化层的表面，形成所述PN结后，去除所述屏蔽氧化层。

3.根据权利要求2所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，所述屏蔽氧化层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，对所述衬底进行P型离子植入。

5.根据权利要求1所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，对所述光阻层进行硬化处理后，所述光阻层的表面为光滑的弧面。

6.根据权利要求1所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为13000埃。

7.根据权利要求1所述的晶体管PN结的形成方法，其特征在于，在温度为180℃的条件下，采用紫外光照射的方式对所述光阻层进行硬化处理，处理的时间为60s。