[发明专利]沟槽式MOS管制作工艺

权利要求书

1.一种功率沟槽式MOS管制作工艺，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底结构，该半导体衬底结构包括沟槽、沉积于沟槽表面和衬底结构表面的栅介质层；

在栅介质层表面沉积多晶硅层；

在多晶硅层表面进行第一类型杂质离子注入；

在多晶硅表面进行第二类型杂质离子注入，所述第二类型杂质离子与第一类型杂质离子类型不同；

进行退火；

通过化学机械研磨工艺研磨多晶硅层；

通过回刻蚀工艺，去除沟槽外的多晶硅层；

制作源极和漏极。

2.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述多晶硅层沉积的厚度为6k埃～9K埃。

3.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述第一类型杂质离子为磷离子，注入能量为70KeV～90KeV，注入剂量为1.2E15个/cm^-31.8E15个/cm^-3。

4.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述第二类型杂质离子为硼离子，注入能量60KeV～80KeV，注入剂量在1.3E15个/cm^-3～2.0E15个/cm^-3。

5.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，在退火时，退火温度在900摄氏度～1100摄氏度之间。

6.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，在退火时，退火时间为1.5小时～2.5小时。

7.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述栅介质层为栅氧化层。