[发明专利]一种高强度高阻尼的Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料无效
申请号: | 201110257419.1 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102358925A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 崔立山;张俊松;杜敏疏;姜大强;王珊;郑雁军 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
主分类号: | C22C14/00 | 分类号: | C22C14/00;C22C1/02;C22F1/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩蕾 |
地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 强度 阻尼 ti sub sn tini 记忆 合金 复合材料 | ||
技术领域
本发明涉及一种记忆合金复合材料,尤其涉及一种高强度高阻尼的Ti3Sn/TiNi记忆 合金复合材料,属于金属复合材料领域。
背景技术
随着现代工业和运输业的发展,由振动引起的噪音污染逐渐成为严重的环境问题之 一。在日常生活中,这类振动和噪声会给人们的生活和工作带来影响,危害人体的健康, 使人疲倦、耳鸣,严重者甚至丧失工作能力。在工程中,振动和噪声带来的宽频带随机 激振会引起结构的多共振峰响应,还会直接影响电子器件、仪器和仪表的正常工作,严 重时造成灾难性后果。在军事中,由于武器装备和飞行器的发展日趋高速化和大功率化, 各种飞行器在飞行过程中受到发动机和高速气流的激励,所产生的振动和谐动响应而产 生的结构疲劳是十分严重的。
采用高阻尼材料进行减振降噪是解决上述问题十分有效的手段。为了减少各种灾害 所带来的影响,对阻尼技术的研究已经成为迫切需要进行的研究。目前,功能性阻尼材 料已经在尖端武器装备、航天飞行器、航海、民用建筑、环境保护等方面得到广泛应用。 但高阻尼材料往往强度较低,严重限制了其作为工程结构件的使用,人们一直希望得到 一种具备较高强度的新型阻尼材料。
因此,寻找一种具有高强度、高阻尼的材料来满足高载荷振动工作环境的要求是本 领域亟待解决的问题之一。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种新型的Ti3Sn/TiNi记忆合金复合 材料,通过控制Ti、Sn和Ni三种元素的比例,进而控制Ti3Sn和TiNi两相的体积比, 从而获得既具有较高的强度,又具有较高的阻尼(低频内耗和高频声衰减)的记忆合金 复合材料。
本发明的目的还在于提供上述Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料的制备方法,通过铸态 原位自生的方法将两相高阻尼材料复合到一起。
为达到上述目的,本发明首先提供了一种Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料,其包括Ti 元素、Sn元素和Ni元素,三者的原子比为(0.25x+y)∶0.25x∶(100-y-0.5x),其中,x= 16-84,y=45.333-53.818。
本发明提供的上述Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料是由Ti3Sn和TiNi两相高阻尼材料 组成的,该复合材料呈现出具有高阻尼特性的同时还具有高强度的特点。通过控制三种 元素的比例,可以控制Ti3Sn和TiNi两相的体积比,由此可以控制复合材料的强度。当 x=32时,该Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料为共晶型复合材料。此时的共晶型复合材料中, Ti3Sn相和TiNi相的体积比约为4∶6,复合材料的强度最高。当x>32时,该Ti3Sn/TiNi 记忆合金复合材料为过共晶型复合材料;当x<32时,该Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料 为亚共晶复合材料。当复合材料为过共晶型复合材料和亚共晶型复合材料时,复合材料 的强度相对共晶型复合材料要低一些。
本发明提供的新型Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料由Ti3Sn和TiNi两相组成,Ti3Sn 相中可以含有少量的Ni,TiNi相中可以含有少量的Sn。在本发明的具体技术方案中, Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料是以Ti、Ni、Sn金属单质为原料通过熔炼制备的,在熔炼 过程中,Ti3Sn相会以原位自生的方式形成于TiNi基体中,两相界面结合良好,具有很 高的界面结合强度。
根据本发明的具体技术方案,可以通过调整Sn元素的含量来控制记忆合金复合材 料中Ti3Sn相的体积百分数,从而调整复合材料的强度和阻尼特性,优选地,Sn的原子 百分含量(以Ti、Sn和Ni元素的总原子百分含量计)控制在4-21%之间。当Sn的原 子百分含量为8%时,复合材料中Ti3Sn相的体积分数为40%(即Ti3Sn相和TiNi相的 体积比约为4∶6),此时复合材料的强度最高。
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