[发明专利]编程电压产生电路及其传输电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种编程电压产生电路及其传输电路，特别是涉及一种小压降的编程电压产生电路及其传输电路。

背景技术

存储器的编程电压端在不同时间(如编程与擦除等)往往需要加载不同电压，显然无法将这些不同电压直接连接至编程电压端，这就需要在这些不同电压的产生电路和编程电压端加以隔离，典型的方法就是利用传输电路，在需要某电压时，传输电路将该电压接通，否则断开，这种情况，传输电路压降越小则输出电压越接近输入电压，也越方便控制，因此传输电路的压降对于编程电压具有重要影响。

图1为现有技术一种具有传输电路的编程电压产生电路的电路图。如图1所示，现有的编程电压产生电路包括编程电荷泵101、编程稳压器102、编程电压传输电路103、擦除电荷泵104、擦除稳压器105以及擦除电压传输电路106，其中编程电压传输电路103包含电阻R1、电流源I1以及NMOS管N1，擦除电压传输电路106包含NMOS管N2以及斜率控制电路，编程电荷泵101输出的高压经编程稳压器102稳压后输出高压的初始编程电压HVP，初始编程电压HVP经编程电压传输电路103后输出实际编程电压VEP至编程电压端，同理，擦除电荷泵104输出的高压经擦除稳压器105后输出高压的初始擦除电压HVE，经擦除电压传输电路106后输出擦除电压VEE至存储器的编程电压端。

然而，现有的编程电压传输电路却存在有如下缺点：由于传输电路采用的是NMOS管N1，初始编程电压HVP与实际编程电压VEP之间会存在比较大的压降，一般来说，会存在约ΔV1＝0.3V的压降，由于一般仅调整初始编程电压HVP，压降大将造成实际编程电压VEP无法准确控制和功耗增加，另外，由于初始编程电压具有比较大的压降，为了获得实际编程电压VEP，编程电压传输电路需要较大的面积，导致存储单元面积增加。

综上所述，可知先前技术的编程电压传输电路存在实际编程电压无法准确控制及导致存储单元面积增加的问题，因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。

发明内容

为克服上述现有技术的编程电压传输电路存在实际编程电压无法准确控制及导致存储单元面积增加的问题，本发明的主要目的在于提供一种编程电压产生电路及其传输电路，其可以使得编程电压传输电路的压降非常小，易于实际编程电压的准确控制，并节省存储单元的面积。

为达上述及其它目的，本发明提供一种编程电压产生电路，包括编程电荷泵、编程稳压器、编程电压传输电路、擦除电荷泵、擦除稳压器及擦除电压传输电路，其中，该编程电压传输电路至少包括：第一PMOS晶体管、第一开关、第二PMOS晶体管以及第二开关，该第一PMOS晶体管源极连接于该编程稳压器的输出端，漏极与该第二PMOS晶体管源极相连，该第一开关连接于该第一PMOS晶体管之栅极与该编程稳压器之输出端，并与一使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第一PMOS晶体管的通断，该第二PMOS晶体管漏极输出实际编程电压至存储单元的编程电压端，该第二开关连接于该第二PMOS晶体管之栅极与该编程电压端之间，并与该使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第二PMOS晶体管的通断。

进一步地，该第一开关与该第二开关为电平位移器。

为达上述及其它目的，本发明提供一种编程电压传输电路，应用于一编程电压产生电路，其至少包括：第一PMOS晶体管、第一开关、第二PMOS晶体管以及第二开关，该第一PMOS晶体管源极连接于该编程稳压器的输出端，漏极与该第二PMOS晶体管源极相连，该第一开关连接于该第一PMOS晶体管之栅极与该编程稳压器之输出端，并与一使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第一PMOS晶体管的通断，该第二PMOS晶体管漏极输出实际编程电压至存储单元的编程电压端，该第二开关连接于该第二PMOS晶体管之栅极与该编程电压端之间，并与该使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第二PMOS晶体管的通断。

进一步地，该第一开关与该第二开关为电平位移器。

与现有技术相比，本发明一种编程电压产生电路及其传输电路第一开关、第二开关控制第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管的通断，使得编程电压传输电路的压降几乎为0，实际编程电压与初始编程电压基本相等，可以获得较为准确的实际编程电压，使实际编程电压易于准确控制，同时，由于编程电压传输电路的压降几乎为0，可以尽可能减小编程电压传输电路的面积，节省存储单元的面积。

附图说明