[发明专利]一种减少晶体热应力的方法有效
| 申请号： | 201110257493.3 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102296368A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;陈红荣;邹拾根 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 晶体 应力 方法 | ||
1.一种减少晶体热应力的方法，晶体生长工艺主要包括加热、熔化、长晶、退火、冷却五个阶段，其特征在于：在所述退火阶段关闭进气阀门，停止通入气体，同时将炉体内的气体抽出所述炉体，使所述炉体内接近真空状态。
2.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：在所述退火阶段使得铸锭炉处于真空状态下。
3.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：
在所述炉体为真空状态下，完成晶体生长的退火和冷却阶段；或，
在冷却阶段温度低于700℃时，开启进气阀门，开始通入气体，使得硅锭加快冷却。
4.如权利要求1至3任意一项所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的退火阶段的温度保持在1000℃以上。
5.如权利要求4所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的真空技术参数的绝对压力控制在0～6×104 Pa。
6.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的退火阶段的时间为0.5～10小时。
7.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的冷却阶段，当温度高于700℃时的时间为1～12小时。
8.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的冷却阶段，当温度低于700℃时的时间为1～10小时。
9.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的气体是氩气、氮气、氦气中的任意一种或是几种的混合。
10.如权利要求1所述的一种减少晶体热应力的方法，其特征在于：所述的晶体可以是多晶硅、单晶硅、蓝宝石中的任意一种。
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