[发明专利]室温下碳纳米管束的转移方法

权利要求书

1.一种室温下碳纳米管束的转移方法，其特征在于该方法具有以下工艺步骤：

1）在硅片上旋涂上一层剥离胶，加热这层剥离胶以后，在其上再旋转涂上一层标准的正性光刻胶，经过紫外线曝光10秒、MF319显影50秒之后，剥离胶形成底切结构；经蒸镀催化剂工艺后，将硅片置于光刻胶去除剂中，剥离掉剥离胶、光刻胶以及附着在光刻胶上的催化剂薄膜，在硅片上形成和光刻掩模有相同图案的催化剂图案，催化剂薄膜由5nm厚的Al₂O₃和1nm厚的Fe组成；

2）将载有催化剂薄膜图案的芯片置入石英管中，将石英管抽真空后再在常压下通以900 cm³/min的氩气和100 cm³/min的氢气；加热整个化学气相沉积系统至725℃，稳定15分钟后，将氩气和氢气气流都调整至500 cm³/min，再加以30 cm³/min的乙炔作为合成碳纳米管的原料气体；15分钟后，切断乙炔供应，并停止加热；再将氩气和氢气流分别调整为900 cm³/min和100 cm³/min，保持这样的气流供应直至系统冷却至200℃，从而得到按照设计图案定向生长的碳纳米管阵列样品；

3）将表面涂抹有粘着剂的双面胶带一面固定于平滑表面，如硅片上；将由步骤2）得到的碳纳米管阵列样品倒置于双面胶带的另一面，使碳管与粘着剂接触；

4）最后将碳纳米管阵列样品与涂有粘着剂的胶带分离。

2.如权利要求1所述的室温下碳纳米管束的转移方法，其特征是：制备时使用的剥离胶为LOL2000和LOR1A，光刻胶为S1813，光刻胶去除剂为Shipley remover 1165。