[发明专利]降低半导体芯片漏电流的方法有效
| 申请号： | 201110258130.1 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102315120A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 欧新华;杨利君;孙志斌 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 芯片 漏电 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：
生产芯片；
设定漏电流标准值；
测量所述芯片的实际漏电流；
判断所述实际漏电流是否大于所述漏电流标准值，若否，则芯片合格，不做处理，若是，则将所述芯片置于一扩散炉中，所述扩散炉中冲入了掺杂磷元素的氮气，所述扩散炉的炉温范围为500℃至600℃。
2.根据权利要求1所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：设定的所述漏电流标准值为10uA。
3.根据权利要求1所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：所述氮气中的磷元素的质量百分比范围为1％至4％。
4.根据权利要求3所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：所述氮气中的磷元素的质量百分比为2％。
5.根据权利要求1所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：所述扩散炉的炉温为550℃。
6.根据权利要求1所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：所述芯片位于所述扩散炉中的时间范围为5小时至10小时。
7.根据权利要求6所述的降低半导体芯片漏电流的方法，其特征在于：所述芯片位于所述扩散炉中的时间为5小时、7小时或10小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯导电子科技有限公司，未经上海芯导电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110258130.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
