[发明专利]介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜

权利要求书

1. 用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括：

用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu(铜)的复合氧化物B被混合到由式Ba_1-xSr_xTi_yO₃(其中0.2<x<0.6和0.9<y<1.1)表示的复合金属氧化物A中，

其中所述液态组合物是有机金属化合物溶液，在该溶液中，用于组成复合金属氧化物A的原材料和用于组成复合氧化物B的原材料，按上述式表示的给定金属原子比的比例和在0.001≤B/A<0.15的范围内的A与B之间的摩尔比溶解在有机溶剂中。

2. 按照权利要求1的介电薄膜形成组合物，其中用于组成复合金属氧化物A的原材料是其中的有机基团通过其氧原子或氮原子与金属元素结合的化合物。

3. 按照权利要求2的介电薄膜形成组合物，其中用于组成复合金属氧化物A的原材料是至少一种选自包括以下的组的化合物：金属醇盐、金属二醇络合物、金属三醇络合物、金属羧酸盐、金属β-二酮酸盐络合物、金属β-二酮酸酯络合物、金属β-亚氨基酮基络合物和金属氨基络合物。

4. 按照权利要求1的介电薄膜形成组合物，其中用于组成复合氧化物B的原材料是其中有机基团通过其氧原子或氮原子与Cu(铜)结合的化合物。

5. 按照权利要求4的介电薄膜形成组合物，其中组成复合氧化物B的原材料是至少一种选自包括以下的组的化合物：羧酸盐化合物、硝酸盐化合物、醇盐化合物、二醇化合物、三醇化合物、β-二酮酸盐化合物、β-二酮酸酯化合物、β-亚氨基酮基化合物和氨基化合物。

6. 按照权利要求5的介电薄膜形成组合物，其中该羧酸盐化合物是至少一种选自包括以下的组的化合物：环烷酸铜、正辛酸铜、2-乙基己酸铜、正庚酸铜、正己酸铜、2-乙基丁酸铜、正戊酸铜、异戊酸铜、正丁酸铜、异丁酸铜和丙酸铜。

7. 按照权利要求5的介电薄膜形成组合物，其中该硝酸盐化合物是硝酸铜。

8. 按照权利要求1的介电薄膜形成组合物，进一步包括相对于1 mol的该组合物中金属总量0.2～3 mol比率的至少一种选自包括以下的组的稳定剂：β-二酮、β-酮酸、β-酮酸酯、含氧酸、二醇、三醇、高级羧酸盐、烷醇胺和多价胺。

9. 按照权利要求1的介电薄膜形成组合物，其中B与A之间的摩尔比B/A在0.002≤B/A≤0.1范围内。

10. 形成介电薄膜的方法，包含下列步骤：

重复使用按照权利要求1的介电薄膜形成组合物涂布耐热基底的工序并干燥它，直到获得具有期望厚度的膜；

和在上述工序之后，在空气、氧气气氛或水蒸汽气氛中，在该膜的结晶温度或更高温度下烘烤该膜。

11. 使用按照权利要求10的方法所形成的BST介电薄膜，其中BST介电薄膜包括Cu。

12. 按照权利要求11的BST介电薄膜，

其中，在使用具有100 nm～500 nm范围内厚度的BST介电薄膜所形成的薄膜电容器中，

在20 V电压下，泄漏电流密度小于或等于3.0×10^-6 A/cm²和可调性大于或等于70%，和

在0 V电压下，介电常数大于或等于300。

13. 具有按照权利要求12的BST介电薄膜的下列的复合电子零件：薄膜电容器、电容器、IPD(集成无源器件)、DRAM存储电容器、多层电容器、晶体管的栅极绝缘材料、非挥发性存储器、热电型红外检测元件、压电器件、电-光器件、驱动器、共振器、超声马达或LC噪声过滤元件。

14. 按照权利要求13的下列的复合电子零件：薄膜电容器、电容器、IPD、DRAM存储电容器、多层电容器、晶体管的栅极绝缘材料、非挥发性存储器、热电型红外检测元件、压电器件、电-光器件、驱动器、共振器、超声马达或LC噪声过滤元件，其中该BST介电薄膜响应不低于100 MHz的频带。