[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括：

在具有第一导电类型或第二导电类型的衬底(1)上形成漂移层(2)；

在所述漂移层(2)上或在所述漂移层(2)的表面部分中形成基极层(3)；

形成沟槽(6)，使所述沟槽(6)穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；

修圆所述沟槽(6)的肩部角落部分和底部角落部分；

利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；

向所述基极层(3)的表面部分注入具有所述第一导电类型的杂质；

通过激活在所述基极层(3)的表面部分中注入的杂质来形成源极区(4)；

在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)；

在所述沟槽(6)的内壁上形成栅极绝缘膜(7)；

在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅电极(8)；

形成源电极(9)，使所述源电极(9)与所述源极区(4)和所述基极层(3)电耦合；以及

在所述衬底(1)的背侧上形成漏电极(11)，

其中所述衬底(1)由碳化硅制成，

其中所述漂移层(2)由具有所述第一导电类型的碳化硅制成，并且所述漂移层(2)被以低于所述衬底(1)的杂质浓度的杂质浓度掺杂，

其中所述基极层(3)由具有所述第二导电类型的碳化硅制成，

其中所述沟槽(6)的肩部角落设置于所述沟槽(6)的开口侧，

其中在所述沟槽(6)覆盖有所述有机膜(21)的情况下进行杂质的注入，

其中在所述沟槽(6)覆盖有所述有机膜(21)的情况下进行所注入杂质的激活，并且

其中所述源极区(4)由具有所述第一导电类型的碳化硅制成，并且所述源极区(4)被以高于所述漂移层(2)的杂质浓度的杂质浓度掺杂。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中通过氢蚀刻方法、牺牲氧化方法或干式蚀刻方法进行所述修圆。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述源电极(9)形成于层间绝缘膜(10)上，所述层间绝缘膜(10)形成于所述栅电极(8)上。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述有机膜(21)由抗蚀剂(21)制成。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中所述抗蚀剂(21)的粘滞度为20cp或更小。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在注入所述杂质之前执行热处理，以将所述抗蚀剂(21)碳化。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，

其中通过湿式氧化方法、干式氧化方法或O₂灰化方法进行所述有机膜(21)的去除。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中在所述衬底(1)的表面为Si表面的情况下，将氧化温度设置为1000℃或更低，并且

其中在所述衬底(1)的表面为C表面的情况下，将氧化温度设置为900℃或更低。