[发明专利]一种LED驱动用自反馈线性恒流器

权利要求书

1.一种LED驱动用自反馈线性恒流器，包括一个结型场效应晶体管(JFET)和一个电阻(R)；所述电阻(R)的一端与结型场效应晶体管(JFET)的源端(S)相连，所述电阻(R)的另一端与结型场效应晶体管(JFET)的栅端(G)相连。

2.根据权利要求1所述的LED驱动用自反馈线性恒流器，其特征在于，所述结型场效应晶体管(JFET)和电阻(R)集成于同一芯片上。

3.根据权利要求1或2所述的LED驱动用自反馈线性恒流器，其特征在于，所述结型场效应晶体管JFET是N沟道JFET器件，包括P⁺衬底(2)、P⁺衬底(2)背面的金属化阴极(1)、P⁺衬底(2)正面的N^-外延层(3)；N^-外延层(3)中具有高掺杂P⁺环(4)和N^-阱区(5)；N^-阱区(5)中具有若干并排的N^-接触区(8)和位于每个N^-接触区(8)中间部位的N⁺接触区(6)，每相邻两个N^-接触区(8)之间具有一个P⁺栅区(7)；所有的N⁺接触区(6)以间隔的方式分别与源极金属层(10)或漏极金属层(11)相连，源极金属层(10)和漏极金属层(11)形成叉指电极结构；整个N^-外延层(3)表面除源极金属层(10)和漏极金属层(11)覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层(9)；所有P⁺栅区(7)延伸出N^-阱区(5)并与高掺杂P⁺环(4)相连。

4.根据权利要求1或2所述的LED驱动用自反馈线性恒流器，其特征在于，所述结型场效应晶体管JFET是N沟道JFET器件，包括P⁺衬底(2)、P⁺衬底(2)背面的金属化阴极(1)、P⁺衬底(2)正面的P^-外延层(3)；P^-外延层(3)中具有高掺杂P⁺环(4)和N^-阱区(5)；N^-阱区(5)中具有若干并排的N^-接触区(8)和位于每个N^-接触区(8)中间部位的N⁺接触区(6)，每相邻两个N^-接触区(8)之间具有一个P⁺栅区(7)；所有的N⁺接触区(6)以间隔的方式分别与源极金属层(10)或漏极金属层(11)相连，源极金属层(10)和漏极金属层(11)形成叉指电极结构；整个P^-外延层(3)表面除源极金属层(10)和漏极金属层(11)覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层(9)；所有P⁺栅区(7)延伸出N^-阱区(5)并与高掺杂P⁺环(4)相连。

5.根据权利要求1或2所述的LED驱动用自反馈线性恒流器，其特征在于，所述结型场效应晶体管JFET是P沟道JFET器件，包括N⁺衬底(2)、N⁺衬底(2)背面的金属化阴极(1)、N⁺衬底(2)正面的P^-外延层(3)；P^-外延层(3)中具有高掺杂N⁺环(4)和P^-阱区(5)；P^-阱区(5)中具有若干并排的P^-接触区(8)和位于每个P^-接触区(8)中间部位的P⁺接触区(6)，每相邻两个P^-接触区(8)之间具有一个N⁺栅区(7)；所有的P⁺接触区(6)以间隔的方式分别与源极金属层(10)或漏极金属层(11)相连，源极金属层(10)和漏极金属层(11)形成叉指电极结构；整个P^-外延层(3)表面除源极金属层(10)和漏极金属层(11)覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层(9)；所有N⁺栅区(7)延伸出P^-阱区(5)并与高掺杂N⁺环(4)相连。