[发明专利]一种超材料的制备方法和超材料有效
| 申请号： | 201110261118.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102480053A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 制备 方法 | ||
1.一种超材料的制备方法，其特征在于，包括：
将具有第一微结构凹槽的模板固定在衬底上；
在所述第一微结构凹槽中注入液态的第一介电材料；
对所述衬底和所述模板一起预热，使所述第一介电材料固化；
在所述第一微结构凹槽中进一步注入液态的第二介电材料；
在预设的温度下对所述第二介电材料进行固化，使衬底、第一介电材料、以及第二介电材料形成一体，脱模后获得具有第二微结构凹槽的介质基板；
在所述第二微结构凹槽中填充具有电磁特性的材料，获得超材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法之前还包括：
采用激光雕刻的方法制备具有第一微结构凹槽的模板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电材料包括：玻璃相、水基、粘结剂。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一介电材料还包括分散剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电材料为水基陶瓷。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电材料的厚度≤1/2第一微结构凹槽的高度；所述第一介电材料的厚度+第二介电材料的厚度＝第一微结构凹槽的高度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一微结构凹槽的形状为轴对称图形或者非轴对称图形。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有电磁特性的材料为：导电材料、铁电材料、或者铁氧体材料。
9.一种超材料，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上具有微结构的复合材料层，该复合材料层由位于衬底上的第一介电材料层、和位于第一介电材料层上的第二介电材料层构成；以及嵌于所述复合材料层微结构中具有电磁特性的材料。
10.根据权利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第一介电材料包括：玻璃相、水基、粘结剂。
11.根据权利要求10所述的超材料，其特征在于，所述第一介电材料还包括分散剂。
12.根据权利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第二介电材料为水基陶瓷。
13.根据权利要求9所述的超材料，其特征在于，所述第一介电材料层的厚度≤第二介电材料层的厚度。
14.根据权利要求9所述的超材料，其特征在于，所述微结构的形状为轴对称图形或者非轴对称图形。
15.根据权利要求9所述的超材料，其特征在于，所述具有电磁特性的材料为：导电材料、铁电材料、或者铁氧体材料。
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