[发明专利]一种基于双端口SRAM的故障注入方法

说明书

技术领域

本发明涉及静态随机存储器(SRAM)技术领域，尤其涉及一种双端口SRAM的故障注入方法，用于采用汉明码编解码方法设计加固的SRAM。

背景技术

针对容错设计SRAM，在加速器上进行单粒子效应测试前，芯片通常都会在常规环境下进行模拟，对加固设计进行验证。现在普遍采取故障注入的方法来模拟单粒子翻转效应。故障注入系统是针对容错设计开发的评价其有效性的工具。故障注入是一种模拟产生故障的技术，它是通过人为的手段在被验证系统之中注入或设置硬件的或软件的故障.使系统的失效得以发生，从而可以验证针对故障的容错设计的有效性。目前主要有两种方案，即软件注入法和硬件注入法。

软件故障注入通过对程序语句或数据的删除、增加或改变延迟特性来模拟故障，主要是通过改变程序内存映象中的内容，或利用程序变异的方法来注入故障。软件故障注入法灵活，但需要增加附加的硬件电路。

硬件故障注入一般是从集成电路芯片管脚上强行施加外部信号，其中又分为过电压和过电流注入的两种形式。硬件故障注入对目标系统进行作用，使目标系统的正常硬件工作环境受到影响，从而产生瞬时或永久的故障，使该目标系统在这种故障环境下运行，从而考验其容错性能。硬件故障注入系统需要专门的设备提供测试特定电压(电流)，有可能会造成硬件损伤，因此代价比较大。

由于硬件故障注入的方法代价较大，因此目前多采用软件注入的方式。软件故障注入往往在芯片内部需要设计一个专门的故障注入系统。针对SRAM，可以对每组数据的每一位来进行故障注入操作。但是这样，硬件的开销比较大，而且会带来不少额外的功耗。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了在进行加速器上线测试前进行故障模拟，对加固设计进行验证，同时又要兼顾成本和开发周期，本发明提供了一种基于双端口SRAM的软件故障注入方法。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提供了一种基于双端口SRAM的故障注入方法，该方法包括：在SRAM第一端口的编码器后设置一个第一编码选择器11；在第二端口的编码器后设置一个第二编码选择器12；以及在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器11和第二编码选择器12上。

上述方案中，所述第一编码选择器11的输入端分别连接第一编码选择器11和第二编码选择器12，其输出端连接双端口SRAM中存储第一端口编码的冗余单元。

上述方案中，所述第二编码选择器12的输入端分别连接第二编码选择器12和第一编码选择器11，其输出端连接双端口SRAM中存储第二端口编码的冗余单元。

上述方案中，所述在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器11和第二编码选择器12上，包括：

TEST信号同时控制第一编码选择器11和第二编码选择器12，当TEST信号为低时，第一编码选择器11选择来自第一编码选择器11输出的编码，第二编码选择器12选择来自第二编码选择器12输出的编码；当TEST信号为高时，第一编码选择器11选择来自第二编码选择器12输出的编码，第二编码选择器12选择来自第一编码选择器11输出的编码。

(三)有益效果

本发明针对双口SRAM设计了一种新的故障注入方法，片外只需一个控制信号控制即可，无需引入其他外部注入信号，且只占用很少的内部芯片面积，能快捷地实现故障注入测试。同时，由于该方法只是逻辑等效故障注入，并非直接注入错误，因此减小了测试功耗。该方法测试操作简单，快速，具有低成本，高测试覆盖率的效果。

附图说明

图1是依照本发明实施例基于双端口SRAM故障注入的方法示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

以下结合附图以基于汉明码编解码技术的双端口SRAM为例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。