[发明专利]硅烷分解法多晶硅制备设备

权利要求书

1.一种硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，其包括主反应室、气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元，气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元都和主反应室连接，气源单元和储存罐连接。

2.根据权利要求1所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，主反应室包括炉壁，炉壁内设置炉膛，炉膛内设置进气管、电极、硅芯、内部冷却管，进气管设置在炉膛的中央，电极、内部冷却管和硅芯围绕进气管设置，炉壁设置有夹层，夹层内设置冷却管道。

3.根据权利要求2所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，主反应室设置炉盖，炉盖上设置溢流装置。

4.根据权利要求1所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，气源单元包括硅烷储存罐、控制柜、硅烷氢气分离装置、硅烷氢气分离后加压装置、氢气储存罐，硅烷氢气装置和主反应室连接，硅烷氢气分离装置连接两个分路，一路由硅烷氢气分离后加压装置、氢气存储罐组成，硅烷氢气分离后加压装置、氢气存储罐串联后分别和控制柜和氢气回收装置连接，另一路由硅烷氢气分离后加压装置、硅烷存储罐，硅烷氢气分离后加压装置、硅烷存储罐串联后和控制柜连接。

5.根据权利要求1所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，控制单元设置为由CPU集中控制的PLC控制单元。

6.根据权利要求1所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，主反应室外设置升降机构。

7.根据权利要求1所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，本设置的各单元分层设置，分为两层，主反应室设置在第二层，真空单元、气源单元、打压单元、电源单元都设置第一层。