[发明专利]具有凸块/基座的散热座及凸块内含凹穴的半导体芯片组体无效

专利信息
申请号: 201110263171.X 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102456637A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 林文强;王家忠 申请(专利权)人: 钰桥半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L33/64;H01L33/48
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 基座 散热 内含 半导体 芯片组
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片组体,包含:一半导体元件、一黏着层、一散热座,以及一导线;其中该黏着层具有一开口,散热座包含一凸块、一基座及一凸缘层,而该导线包含一焊垫及一端子;其特征在于:该凸块邻接该基座与该凸缘层,且与该凸缘层形成一体,该凸块自该基座沿一第一垂直方向延伸,并自该凸缘层沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向延伸;该基座自该凸块沿该第二垂直方向延伸;该凸缘层自该凸块沿着垂直于该等垂直方向的侧面方向侧伸而出,且与该基座保持距离;在该凸块中有一面朝该第一垂直方向的凹穴,该凹穴在该第二垂直方向上是由该凸块覆盖,该凸块也分隔该凹穴与该基座,该凹穴具有一位于该凸缘层处的入口;其中该半导体元件延伸进入该凹穴,且电性连接至该焊垫,从而电性连接至该端子,该半导体元件也热连接至该凸块,从而热连接至该基座;该黏着层接触该凸块与该凸缘层,且自该凸块侧向延伸至该端子或越过该端子;该导线位于该凹穴外;该凸块延伸进入该开口,并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件;该凹穴延伸进入该开口。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该半导体元件为一发光二极管芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该半导体元件是位于该凹穴内,通过一延伸于该凹穴内、外的打线电性连接至该焊垫,并通过一位于该凹穴内的固晶材料热连接至该凸块。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该黏着层接触该导线。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该黏着层侧向覆盖且环绕并同形地被覆于该凸块的一侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该黏着层延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸 块与该黏着层于该基座处共平面。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸块包含一邻接该基座的第一弯折角落与一邻接该凸缘层的第二弯折角落。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸块具有一冲压而成的特有不一致的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凹穴沿所述垂直方向及所述侧面方向涵盖该凸块的大部分。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该基座具有一单一厚度及一面朝该第二垂直方向的平坦表面。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该基座自该凸块侧伸而出。

13.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸缘层与该焊垫于一面朝该第一垂直方向的表面是共平面。

14.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该基座与该端子于一面朝该第二垂直方向的表面是共平面。

15.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该焊垫延伸于该黏着层朝该第一垂直方向的外侧,该端子延伸于该黏着层朝该第二垂直方向的外侧。

16.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该导线包含一位于该焊垫与该端子间的一导电路径上的被覆穿孔。

17.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸块、该基座、该凸缘层、该焊垫与该端子为相同的金属。

18.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该凸块、该基座、该凸缘层、该焊垫与该端子包含一金、银或镍质表面层及一内部铜核心,且主要为铜。

19.根据权利要求1所述的半导体芯片组体,其特征在于:该散热座包含一由该凸块、该基座与该凸缘层共用的铜核心,该导线包含一由该焊垫与该端子共用的铜核心。

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