[发明专利]一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法无效
| 申请号： | 201110263223.3 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102417186A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 景介辉;徐秀梅;吴大青;宋志伟 | 申请（专利权）人： | 黑龙江科技学院 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C25B1/22;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150027 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于它的具体制备工艺过程如下
步骤A、选取具有一定浓度的硅酸钠溶液加入到由阳离子交换离子膜有效分割开的两室电解槽中的阳极室；
步骤B、选取具有一定浓度的氯化钠溶液加入到由阳离子交换离子膜有效分割开的两室电解槽中的阴极室；
步骤C、通过控制阳极室中惰性电极表面的电解电流密度进行电解，溶液中的氢氧根离子被氧化，以氧气形式不断从体系中逸出，阳极室的溶液pH值逐渐降低，达到硅酸沉淀所需要的pH值时，超细硅酸沉淀不断析出，通过过滤、洗涤、干燥，获得超细硅酸粉体；
步骤D、将超细硅酸粉体置于热解设备中，控制热分解温度范围，超细硅酸粉体热分解得到纳米二氧化硅粉体。
2.根据权利要求1所述的一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于步骤A和步骤B中所述的电解槽为阳离子交换膜有效地将该电解槽分割为阳极室和阴极室的两室电解装置。
3.根据权利要求1所述的一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于步骤C中所述阳极的电解电流密度为0.02A/cm2～1.50A/cm2。
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