[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110263611.1 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102456707A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 姜镇求;黄荣仁;金志映;金孝锡 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基底,包括发光区域和电路区域,电路区域包括薄膜晶体管,发光区域包括电致发光层,发光区域由第一边、第二边、第三边和第四边界定,第一边与第二边相对,第三边与第一边相邻并与第四边相对;
第一布线,与发光区域的第一边对应地布置;
第二布线,与发光区域的第二边对应地布置;
第一虚设布线,与发光区域的第三边对应地布置;
第二虚设布线,与发光区域的第四边对应地布置;
像素限定层,布置在第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线上,其中,第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线中的至少一个电连接到电路区域,像素限定层的与第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线中的每个对应的顶表面全部布置在与基底平行的同一平面上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,发光区域具有从由矩形和长椭圆形组成的组中选择的形状。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一虚设布线和第二虚设布线电结合到第一布线或第二布线。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一虚设布线和第二虚设布线未电结合到第一布线和第二布线。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线的高度全部相同。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线的宽度全部相同。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,电路区域布置在第一区域和第二区域叠置的位置处,第一区域布置在发光区域的第三边的延伸线的与布置有发光区域的一侧相反的一侧,第二区域布置在发光区域的第二边的延伸线的与布置有发光区域的一侧相反的一侧。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,薄膜晶体管包括:
有源层,布置在基底上;
栅绝缘层,覆盖有源层;
栅电极,布置在栅绝缘层上并与有源层对应;
层间绝缘层,覆盖栅电极;
源电极和漏电极,布置在层间绝缘层上,源电极和漏电极与栅电极绝缘并且电连接到有源层。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
钝化层,覆盖源电极和漏电极;
像素电极,布置在钝化层上,其中,像素电极通过布置在钝化层中并在电路区域内的通孔连接到源电极和漏电极中的一个。
10.如权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,第一布线、第二布线、第一虚设布线和第二虚设布线布置在与布置有薄膜晶体管的源电极和漏电极的层相同的层上。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
栅绝缘层,布置在基底上;
层间绝缘层,覆盖栅绝缘层,其中,第一布线和第二布线彼此平行、布置在层间绝缘层上并且通过发光区域彼此分隔开,在第一布线与像素限定层之间和第二布线与像素限定层之间还布置有钝化层。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
像素电极,布置在钝化层上并在第一布线和第二布线之间,电致发光层布置在像素电极上,电致发光层具有均匀厚度,通过溶液沉积工艺制造电致发光层并且电致发光层包括有机发光层;
对电极,布置在电致发光层上,其中,发光区域由第一布线和第二布线限定。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
栅绝缘层,布置在基底上;
层间绝缘层,覆盖栅绝缘层,第一虚设布线和第二虚设布线布置在层间绝缘层上并相对于发光区域彼此分开且平行地布置,其中,在第一虚设布线与像素限定层之间和第二虚设布线与像素限定层之间还布置有钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的