[发明专利]充放电控制电路以及电池装置有效
申请号: | 201110263803.2 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102403758A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 樱井敦司;小池智幸;佐野和亮;前谷文彦 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 控制电路 以及 电池 装置 | ||
1.一种充放电控制电路,其利用一个双向导通型场效应晶体管来控制二次电池的充放电,该充放电控制电路的特征在于,具备:
控制电路,其与上述二次电池的两端连接,监视上述二次电池的电压;
开关电路,其具有第一端子和第二端子,根据上述控制电路的输出来控制双向导通型场效应晶体管的栅极,
上述第一端子与上述双向导通型场效应晶体管的背栅极连接。
2.根据权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,
上述开关电路由P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管构成,该P沟道MOS晶体管的栅极与上述控制电路的输出端连接、漏极与上述双向导通型场效应晶体管的栅极连接、源极与上述第二端子连接,该N沟道MOS晶体管的栅极与上述控制电路的输出端连接、漏极与上述双向导通型场效应晶体管的栅极连接、源极与上述第一端子连接,
上述第一端子与上述双向导通型场效应晶体管的背栅极连接。
3.根据权利要求2所述的充放电控制电路,其特征在于,
关于上述控制电路,负极电源端子与上述第一端子连接。
4.根据权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,
上述开关电路由P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管构成,该P沟道MOS晶体管的栅极与上述控制电路的输出端连接、漏极与上述双向导通型场效应晶体管的栅极连接、源极与上述第一端子连接,该N沟道MOS晶体管的栅极与上述控制电路的输出端连接、漏极与上述双向导通型场效应晶体管的栅极连接、源极与上述第二端子连接,
上述第一端子与上述双向导通型场效应晶体管的背栅极连接。
5.根据权利要求4所述的充放电控制电路,其特征在于,
关于上述控制电路,正极电源端子与上述第一端子连接。
6.一种电池装置,其具备:
能够充放电的二次电池;
一个双向导通型场效应晶体管,其是设置在上述二次电池的充放电路径上的充放电控制开关;
权利要求1~5中任意一项所述的充放电控制电路,其监视上述二次电池的电压,对上述充放电控制开关进行开闭,由此控制上述二次电池的充放电。
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