[发明专利]光致发光荧光材料及白光发光装置无效
申请号: | 201110264019.3 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102977885A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 蔡凯雄;李建立 | 申请(专利权)人: | 蔡凯雄;李建立 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致发光 荧光 材料 白光 发光 装置 | ||
1.一种光致发光荧光材料,其特征在于包含:
一第一荧光物质;及
一第二荧光物质;
该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体,该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体,该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
2.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)y0w-3z/2Nz:M3,x=1至5,y=5至20,w=10至33,z=1至20,(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,M3代表选自Eu、Ce、Pr、Dy、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。
3.根据权利要求2所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该结构式的x=1至4,y=6至16,w=11至27,及z=2。
4.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12,0≤p≤0.8,0.003≤q≤0.2,0.0003≤r≤0.08,0≤s≤1。
5.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。
6.一种白光发光装置,其特征在于包含:
一发光元件,发出一紫光或紫外光;以及
一光致发光荧光材料,邻近该发光元件而设,该荧光材料包括一第一荧光物质与一第二荧光物质,该第一荧光物质被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光,该第二荧光物质被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光,且该荧光与该蓝光混合成白光;
该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体,该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体,该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。
7.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)yOw-3z/2Nz:M3,x=1至5,y=5至20,w=10至33,z=1至20,(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,M3代表选自Eu、Ce、Pr、D y、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。
8.根据权利要求7所述的白光发光装置,其特征在于:该结构式的x=1至4,y=6至16,w=11至27,及z=2。
9.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12,0≤p≤0.8,0.003≤q≤0.2,0.0003≤r≤0.08,0≤s≤1。
10.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该发光元件具有一半导体发光层,该半导体发光层的材料为InGaN。
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