[发明专利]光致发光荧光材料及白光发光装置无效

专利信息
申请号: 201110264019.3 申请日: 2011-09-02
公开(公告)号: CN102977885A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 蔡凯雄;李建立 申请(专利权)人: 蔡凯雄;李建立
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光致发光 荧光 材料 白光 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种光致发光荧光材料,其特征在于包含:

一第一荧光物质;及

一第二荧光物质;

该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体,该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体,该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。

2.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)y0w-3z/2Nz:M3,x=1至5,y=5至20,w=10至33,z=1至20,(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,M3代表选自Eu、Ce、Pr、Dy、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。

3.根据权利要求2所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该结构式的x=1至4,y=6至16,w=11至27,及z=2。

4.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12,0≤p≤0.8,0.003≤q≤0.2,0.0003≤r≤0.08,0≤s≤1。

5.根据权利要求1所述的光致发光荧光材料,其特征在于:该第一荧光物质受激发发出波长介于450nm至600nm的光。

6.一种白光发光装置,其特征在于包含:

一发光元件,发出一紫光或紫外光;以及

一光致发光荧光材料,邻近该发光元件而设,该荧光材料包括一第一荧光物质与一第二荧光物质,该第一荧光物质被该紫光或紫外光激发而产生一蓝光,该第二荧光物质被该蓝光激发而产生一与该蓝光不同的荧光,且该荧光与该蓝光混合成白光;

该第一荧光物质为一含氮氧化金属的荧光体,该氮氧化金属包含选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,该第二荧光物质为一含金属氧化物的荧光体,该金属氧化物包含选自Y、Sc及稀土族元素群组中的至少一个元素,以及选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素。

7.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该第一荧光物质的氮氧化金属的结构式为(M1)x(M2)yOw-3z/2Nz:M3,x=1至5,y=5至20,w=10至33,z=1至20,(M1)代表选自Ca、Mg、Sr、Ba及Zn群组中的至少一个元素,(M2)代表选自Al、Ga及In群组中的至少一个元素,M3代表选自Eu、Ce、Pr、D y、Tb及Gd群组中的一个元素做为发光中心。

8.根据权利要求7所述的白光发光装置,其特征在于:该结构式的x=1至4,y=6至16,w=11至27,及z=2。

9.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该金属氧化物的结构式为(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12,0≤p≤0.8,0.003≤q≤0.2,0.0003≤r≤0.08,0≤s≤1。

10.根据权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:该发光元件具有一半导体发光层,该半导体发光层的材料为InGaN。

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