[发明专利]光电元器件封装结构有效
申请号: | 201110264057.9 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102983189A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 王瑞庆;陈浩明 | 申请(专利权)人: | 广东量晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 王凤华;黄庆芳 |
地址: | 528251 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 元器件 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电元器件的封装结构,更具体地,本发明涉及一种具有二次光学菱镜的光电元器件的封装结构。
背景技术
聚光型太阳能电池主要利用透镜将太阳光聚集在狭小的面积上,以提高发电效率。当使用聚光型太阳能电池进行电能转换时,由于材料本身的光谱吸收能力的限制,无法百分百将光能转换成电能输出。因此,进入太阳能电池内多余的能量容易形成热能而囤积在电池中,造成组件温度的上升,导致电池内部暗电流大量上升,从而降低电池转换效率。
在太阳能电池封装结构中,一般直接将太阳能芯片贴合于电路板上,并以焊线接合(wire bond)方式电性连接太阳能芯片与电路板,之后直接灌注环氧树脂,以隔绝太阳能芯片与外界环境的接触。
然而,环氧树脂、太阳能芯片及电路板的热膨胀系数间具有一定的差异,因此长时间使用后,环氧树脂容易受到水气的侵蚀而与电路板脱离,导致无法完全覆盖太阳能芯片,而使太阳能芯片的使用寿命受到影响。另一方面,由于太阳能芯片及电路板的热膨胀系数的差异,会导致太阳能芯片的散热效率降低。
发明内容
为克服上述的现有缺陷,本发明提出一种具有二次光学菱镜的光电元器件的封装结构。
根据本发明的一个方面,提出了一种聚光型光电元器件封装结构,包括:陶瓷基座,上表面设置凹槽,凹槽的至少二相对内侧壁形成阶梯状结构,每一阶梯状结构包含上阶梯平台与下阶梯平台;太阳能芯片,设置于凹槽底面;第一电极线路,贯穿陶瓷基座,且第一电极线路的顶端与太阳能芯片电性连接;第二电极线路,贯穿陶瓷基座两侧的下阶梯平台,且利用金属导线连接至太阳能芯片;锥体形二次光学棱镜,设置于上阶梯平台上,覆盖凹槽及太阳能芯片。
本发明涉及一种具有二次光学菱镜的光电元器件的封装结构,特别是一种以具有二次光学菱镜设计的锥体与阶梯状结构的陶瓷基座来包覆的太阳能芯片。本发明提出的结构,陶瓷基座可以提高散热效率,二次光学菱镜设计的锥体可有效保护太阳能芯片。另外,二次光学菱镜的设计能有效聚集太阳光线能量,并使聚集后的太阳光线能量均匀分布于太阳能电池受光表面上来达到最高转换效率输出。
附图说明
图1A至图1D为根据本发明实施例的聚光型太阳能电池封装结构及制作过程的剖面示意图;
图2为本发明第一实施例的聚光型太阳能电池封装结构的剖面图;
图3为图2所示结构的仰视图;
图4为本发明实施例的聚光型太阳能电池封装结构的应用示意图。
其中:10、封装结构,12、陶瓷基座,122、下表面,14、凹槽,141、底面,142、内侧壁,16、阶梯状结构,18、下阶梯平台,181、表面,20、上阶梯平台,201、表面,22、第一电极线路,221、顶端,222、底端,24、第二电极线路,241、顶端,242、底端,26、太阳能芯片,30、具二次光学菱镜设计的透明锥体,32、抗反射层,34、金属基材,36、二次光学菱镜设计的锥体固定结构。
如图所示,为了能明确实现本发明的实施例的结构,在图中标注了特定的结构和器件,但这仅为示意需要,并非意图将本发明限定在该特定结构、器件和环境中,根据具体需要,本领域的普通技术人员可以将这些器件和环境进行调整或者修改,所进行的调整或者修改仍然包括在后附的权利要求的范围中。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明提供的一种具有二次光学菱镜的光电元器件的封装结构进行详细描述。
其中,在以下的描述中,将描述本发明的多个不同的方面,然而,对于本领域内的普通技术人员而言,可以仅仅利用本发明的一些或者全部结构或者流程来实施本发明。为了解释的明确性而言,阐述了特定的数目、配置和顺序,但是很明显,在没有这些特定细节的情况下也可以实施本发明。在其他情况下,为了不混淆本发明,对于一些众所周知的特征将不再进行详细阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的