[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110264140.6 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102983280A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电致光电器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层小分子有机电致发光器件。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。1990年,英国剑桥大学Burronghes等人首次提出用高分子共轭聚合物聚苯撑乙烯(PPV)制成聚合物电致发光(EL)器件,随后,美国加洲大学Heeger教授领导的实验组于1991年进一步确证了聚合物电致发光特性,并进行了改进。从此有机发光器件的研究开辟了一个全新的领域-聚合物电致发光器件(PLED)。自此,有机发光二极管在短短的十几年内得到了迅速的发展。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。而由于空穴和电子的传输速率不一致,往往导致了电子-空穴的复合几率偏低,器件的亮度与效率得不到提高,因此为了有效的调节电子和空穴的注入和传输速率,平衡载流子,控制复合区域,以获得理想的发光亮度和发光效率,通常在器件中加入了载流子注入层来改善载流子的注入效率,这种器件结构不但保证了有机功能层与导电基底间的良好附着性,而且还使得来自阳极和金属阴极的载流子更容易的注入到有机功能薄膜中。

在传统的电致发光器件中,由于电子的传输速率比空穴的传输速率要低两个数量级(空穴传输速率一般为10-3cm2V-1S-1,电子传输速率一般为10-5cm2V-1S-1),这种速率的差别往往造成激子复合几率的低下,而阴极层与电致发光器件中的有机功能层之间的能级相差太远,阴极层功函数一般为-4.2eV,有机功能层的LUMO能级(电子从阴极通过有机功能层的LUMO能级传输到发光层与空穴复合发光)一般为-3.0eV,两者之间的能量势垒较大,电子传输需要克服更多的能量,不利于降低有机电致发光器件的启动电压和电流效率;同时,阴极层一般为金属,金属离子会渗透到有机功能层内,破坏了有机功能层的结构,产生电子陷阱,捕获电子,使电子的湮灭,影响激子的复合,最终影响发光效率,使得发光效率低下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以提高出光效率的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件,包括依次叠层的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、缓冲层及阴极层;所述缓冲层的材质选自金属氟化物。

上述有机电致发光器件中:

阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃;

所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及酞菁铜中的至少一种;

所述空穴传输层的材料和电子阻挡层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种;

所述发光层的材料选自四-叔丁基二萘嵌苯、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮及8-羟基喹啉铝中的至少一种;

所述金属氟化物选自氟化镁、氟化钙、氟化银、氟化铝及氟化钠中的至少一种;

所述阴极层的材料选自银、铝、铂、镁、钡、金及镁银合金中的至少一种。

本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:

S1、清洗、干燥阳极基底;

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