[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：

一真空室；

一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；

多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；

一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。

2.根据权利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中还包括：至少覆盖在所述晶体生长室外部的热防护装置。

3.根据权利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中还包括：样品装取室，远离真空室，位于晶体生长室的一侧。

4.根据权利要求3所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述样品装取室进一步包括：装取样品架的导轨，以及沿所述导轨装取样品的杆状部件，位于样品装取室的上方。

5.根据权利要求4所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述杆状部件选自磁力棒或勾型杆。

6.根据权利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长腔还包括：底板，该底板位于晶体生长腔的底部，两个气流挡板，该气流挡板位于底板上，用于限制源气体进入后的流向及空间；感应加热桶，扣置于底板上，在与底板之间形成供气体流过的通道，用于接收电磁感应，从而向所述晶体生长腔内部提供热量；并且该感应加热桶在所述晶体生长腔的主体部分分布有更多的感应线圈；样品托，该样品托位于感应加热桶的上部，用于放置籽晶以及收纳所生长的晶体样品；气动样品托通道，该气动样品托通道位于样品托与感应加热桶顶部之间，用于通过该通道输送的气体驱动所述样品托旋转和上下运动。

7.根据权利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中每个所述输送源气体的管路都是由双层或多层套管构成，其中外部套管与内部套管之间的通道所输送的气体用于限制所述内部套管的气体流向。

8.根据权利要求1所述的HTCVD法碳化硅晶体生长装置，其中所述输送源气体的管路在所述真空室是由双层或多层套管构成的整体结构，而在所述晶体生长室内再形成多分支的套管结构，以便每一路分支套管分别延伸至相应的晶体生长腔的底部。