[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片无效
| 申请号： | 201110264882.9 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102361122A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 30 10 db 衰减 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其特征在于：其包括一5*5*1MM 的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的 正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述 衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入 端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。
2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其特征在于： 所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其特征在于： 所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其特征在于： 所述衰减电路采用T型电路结构。
5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其特征在于： 所述银浆导线与所述导体层通过接地银浆连接。
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