[发明专利]形成RDL的方法和半导体器件

说明书

国内优先权声明

本申请要求于2010年7月26日提交的第61/367807号临时申请的优先权，且依照35U.S.C.§120要求上述申请的优先权。

技术领域

本发明一般涉及半导体器件，并且更具体地涉及在接触焊盘上形成重分布层(RDL)的方法和半导体器件，其中RDL沿第一轴比接触焊盘宽，而沿与第一轴垂直的第二轴比接触焊盘窄。

背景技术

常常在现代电子产品中发现半导体器件。半导体器件在电部件的数目和密度方面变化。分立的半导体器件一般包含一种类型的电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件典型地包含几百个到数以百万的电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD)。

半导体器件执行各种的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转变为电力以及产生用于电视显示的视觉投影。在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机以及消费产品的领域中发现半导体器件。还在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中发现半导体器件。

半导体器件利用半导体材料的电属性。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基电流(base current)或通过掺杂工艺而操纵其导电性。掺杂向半导体材料引入杂质以操纵和控制半导体器件的导电性。

半导体器件包含有源和无源电结构。包括双极和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂水平和施加电场或基电流，晶体管要么促进要么限制电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构创建为执行各种电功能所必须的电压和电流之间的关系。无源和有源结构电连接以形成电路，这使得半导体器件能够执行高速计算和其他有用功能。

半导体器件一般使用两个复杂的制造工艺来制造，即，前端制造和和后端制造，每一个可能涉及成百个步骤。前端制造涉及在半导体晶片的表面上形成多个管芯。每个半导体管芯典型地是相同的且包含通过电连接有源和无源部件而形成的电路。后端制造涉及从完成的晶片分割(singulate)各个半导体管芯且封装管芯以提供结构支撑和环境隔离。此处使用的术语“半导体管芯”指代该词的单数和复数形式二者，且相应地，可指代单半导体器件和多半导体器件二者。

半导体制造的一个目的是生产较小的半导体器件。较小的器件典型地消耗较少的功率、具有较高的性能且可以更高效地生产。另外，较小的半导体器件具有较小的占位面积，这对于较小的终端产品而言是希望的。较小的半导体管芯尺寸可以通过前端工艺中的改进来获得，该前端工艺中的改进导致半导体管芯具有较小、较高密度的有源和无源部件。后端工艺可以通过电互联和封装材料中的改进而导致具有较小占位面积的半导体器件封装。

图1a示例了一种传统的半导体器件10，其具有以扇入或扇出晶片级芯片规模封装(WLCSP)的半导体管芯或晶片12。半导体管芯12具有有源表面14和形成在该有源表面上的接触焊盘16。绝缘或钝化层18以晶片级形成在有源表面14和接触焊盘16上。绝缘层18的一部分通过蚀刻工艺被去除以露出接触焊盘16。绝缘或钝化层20以晶片级形成在绝缘层18和该露出的接触焊盘16上。绝缘层20的一部分通过蚀刻工艺被去除以露出接触焊盘16。典型地，在绝缘层18中的开口为20微米(μm)以获得与接触焊盘16的良好的电特性。导电层22形成在该露出的接触焊盘16和绝缘层20上。导电层22操作为电连接至接触焊盘16的再分布层(RDL)。导电层22延伸越过在绝缘层20中的开口以横向地再分布该电互连至接触焊盘16。绝缘或钝化层24形成在绝缘层20和导电层22上。绝缘层24的一部分通过蚀刻工艺去除以露出用于电互连的导电层22。