[发明专利]一种多晶硅湿刻机的抽风盖板无效
申请号: | 201110265005.3 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN103000508A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 赵春庆;蒋剑波;莫毓东;陆佳佳 | 申请(专利权)人: | 昊诚光电(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;赵艳 |
地址: | 215400 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 硅湿刻机 抽风 盖板 | ||
技术领域
本发明涉及一种多晶硅湿刻机的抽风盖板。
背景技术
多晶硅太阳能电池片的湿刻生产一般采用多晶硅湿刻机,多晶硅湿刻机内具有药液池,药液池的上方设置有抽风盖板,湿刻机一般可允许5道上料,即5片多晶硅片同时在药液上漂过,硅片只有下表面及侧面接触到药液,上表面由于是扩散面,扩散后产生方块电阻,故药液不漫过上表面,这种湿刻技术俗称水上漂技术,硅片与药液反应时会释放出气体与酸气,气体与酸气经抽风盖板被抽风装置吸走,现有的多晶硅湿刻机的抽风盖板,一般在本体纵向方向上开设6-8个贯穿自身的径向尺寸相同的抽风孔,不但不能够及时抽走气体与酸气,而且抽风不均匀,导致酸气与硅片上表面接触增大了方块电阻,影响了电池片的电性能,而且每道硅片的方块电阻上升值不一样,彼此之间相差较大,不符合标准范围,影响了电池片的转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供可及时、均匀得吸走气体和酸气,进而增进多晶硅太阳能电池片的电性能的多晶硅湿刻机的抽风盖板。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种多晶硅湿刻机的抽风盖板,沿所述抽风盖板纵向方向的中部开设一排贯穿自身的正面、背面的基准抽风孔,平行于所述基准抽风孔在所述抽风盖板上开设多排抽风孔,所述抽风孔密集、均匀得排布在所述抽风盖板本体上,所述抽风孔在所述抽风盖板的横向方向上至少排布有三列,每列所述抽风孔相互平行。
优选地,所述抽风孔为圆形或多边形。
优选地,所述抽风孔的径向尺寸由所述基准抽风孔向两侧逐排增大,每排所述抽风孔的径向尺寸相同。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:开设贯穿抽风盖板的正面、背面的抽风孔,在纵向方向上,以抽风盖板中部的基准抽风孔为基准设置多排平行的抽风孔,抽风孔自基准抽风孔起越向外则径向尺寸越大,在横向方向上确保至少设置有三列抽风孔,抽风孔均匀密集得排布在抽风盖板上,抽风孔的数量较多,可在单位时间内吸走较多的气体及酸气,且越远离基准抽风口,抽风口的径向尺寸就越大,在吸力逐渐减弱的情况下,这确保了抽风的均匀,湿刻后的多晶硅太阳能电池片的电性能更好。
附图说明
附图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图来进一步阐述本发明的结构。
参见图1所示,在本实施例中,沿抽风盖板2的中部位置开设一排贯穿自身的正面、背面的圆形基准抽风孔1,于基准抽风孔1的两侧沿抽风盖板2的纵向方向开设多排平行于基准抽风孔1的一排圆形抽风孔如3,每排抽风孔如3的抽风孔的径向尺寸相同,在横向方向上,圆形抽风孔至少排布为三列,每列抽风孔互相平行,这种排布方式确保了抽风孔在抽风盖板2上均匀、密集得排布,使抽风盖板2上排布的抽风孔较多,单位时间内被吸走的气体与酸气的量较多,大大降低了整个药液池区域的酸气量,降低了方块电阻的上升值,减小了酸气对多晶硅太阳能电池片的电性能的影响。
在图1中,基准抽风孔1的径向尺寸是所有抽风孔中最小的,同时,抽风装置也布置在该处,使得该处的抽吸力最大,由基准抽风孔1向两侧设置的每排抽风孔如3的径向尺寸逐排增大,同时,距离基准抽风孔1越远的位置,抽吸力越弱,所以抽气孔径向尺寸的变大有效提高了其抽气量,这种结构使得各排抽气孔的抽气量趋于均匀,使各道硅片的方块电阻上升值均匀,提高了产品电性能的稳定性,提高了产品的合格率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造