[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体层；

对所述半导体层构图形成的鳍片；以及

跨于所述鳍片上的栅堆叠，

其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，对于p型器件，所述阻挡区包括n型掺杂剂；对于n型器件，所述阻挡区包括p型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

隔离层，位于所述半导体层上鳍片两侧，

其中，所述阻挡区的顶面高于所述隔离层的顶面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体层包括第一区域和第二区域，

所述鳍片包括位于第一区域的第一鳍片和位于第二区域的第二鳍片，其中第一鳍片的高度不同于第二鳍片的高度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括多个半导体子层，其中相邻半导体子层的材料不同从而可以相对于彼此具有刻蚀选择性，以及

所述第一鳍片和第二鳍片分别由不同数目的子层形成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括鳍片主体材料子层以及刻蚀停止子层的交替堆叠，所述鳍片主材料子层的厚度大于所述刻蚀停止子层的厚度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述鳍片主体材料子层包括Si，所述刻蚀停止子层包括SiGe。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体层；

对所述半导体层进行构图以形成鳍片；

在所述鳍片的底部形成掺杂的阻挡区；以及

横跨所述鳍片形成栅堆叠。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，对于p型器件，所述阻挡区包括n型掺杂剂；对于n型器件，所述阻挡区包括p型掺杂剂。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述鳍片的底部形成掺杂的阻挡区的步骤包括：

在所述鳍片的两侧，向所述半导体层中注入掺杂剂；以及

进行退火，激活注入的掺杂剂，使得掺杂剂扩散到所述鳍片的底部。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述鳍片的底部形成掺杂的阻挡区之后，该方法还包括：

在所述半导体层上所述鳍片的两侧设置隔离层，

其中，所述阻挡区的顶面高于所述隔离层的顶面。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，对所述半导体层进行构图以形成鳍片的步骤包括：

在所述半导体层的第一区域中，对所述半导体层进行构图，形成第一鳍片；以及

在所述半导体层的第二区域中，对所述半导体层进行构图，形成第二鳍片，

其中，第一鳍片的高度不同于第二鳍片的高度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

提供半导体层的步骤包括：提供具有多个半导体子层的半导体层，其中相邻半导体子层的材料不同从而可以相对于彼此进行选择性刻蚀；

在第一区域对半导体层进行构图的步骤包括：通过构图，利用第一数目的半导体子层形成第一鳍片；以及

在第二区域对半导体层进行构图的步骤包括：通过构图，利用不同于第一数目的第二数目的半导体子层形成第二鳍片。

14.根据权利要求13述的方法，其中，所述半导体层包括鳍片主体材料子层以及刻蚀停止子层的交替堆叠，所述鳍片主材料子层的厚度大于所述刻蚀停止子层的厚度。

15.根据权利要求14述的方法，其中，所述鳍片主体材料子层包括Si，所述刻蚀停止子层包括SiGe子层。