[发明专利]一种大马士革制造工艺

权利要求书

1.一种大马士革制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在一衬底上淀积介电层，采用大马士革刻蚀工艺刻蚀介电层以形成铜互连线沟槽；

步骤S2：淀积金属阻挡层覆盖剩余介电层的上表面、铜互连线沟槽的侧壁及其底部，电镀填充金属铜充满铜互连线沟槽后，进行平坦化处理，去除覆盖在剩余介电层的上表面上的金属阻挡层及金属铜后，在铜互连线沟槽中形成铜凹槽；

步骤S3：淀积金属保护层覆盖剩余介电层和剩余金属阻挡层的上表面、铜凹槽的底部及其侧壁，进行平坦化处理，去除覆盖剩余介电层和剩余金属阻挡层的上表面上的金属保护层，形成第一金属层；

步骤S4：淀积第二介电层覆盖第一金属层，采用双大马士革刻蚀工艺刻蚀第二介电层以形成铜互连线通孔和沟槽，重复上述工艺步骤S2和S3，于第一金属层上制备第二金属层。

2.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，重复第二金属层工艺制备包含有至少三层金属层的器件结构。

3.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，采用化学气相淀积或旋转涂覆工艺淀积介电层和第二介电层。

4.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，介电层和第二介电层的材质为低介电常数材料。

5.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。

6.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，直接采用化学机械研磨或在其后继续进行反向电镀铜或湿法工艺形成铜凹槽。

7.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，采用物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积工艺制备金属保护层。

8.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，金属保护层的材质为单层TiN、Ti、TaN、Ta、WN、W或双层Ti/TiN、Ta/TaN、W/WN。

9.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，采用物理气相淀积、化学气相淀积或原子层淀积工艺制备金属阻挡层。

10.根据权利要求1所述的大马士革制造工艺，其特征在于，金属阻挡层的材质至少包含TiN、Ti、TaN、Ta、WN、W中的一种。